2025年10月9日,致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下世平推出基于海思(HiSilicon)Hi3863V100(WS63)與國芯微(NationalChip)GX8006芯片的AI玩具方案。
全新車規(guī)級型號符合 AEC-Q200 標準,為電源線與汽車系統(tǒng)應用提供高效的 EMI 抑制與噪聲濾波解決方案
工程師在新型 68 系列高壓繼電器(帶引線)中實現(xiàn)了 200W 開關功率,非常適合要求嚴格的測試、醫(yī)療和能源應用
新型單通道驅動器采用2.5 kV電容隔離技術,可提升功率密度、加快開關速度、增強電機驅動器、逆變器及工業(yè)電源的可靠性。
在2025年Altera創(chuàng)新者大會上,Altera推出全新FPGA軟硬件解決方案,以進一步拓展可編程邏輯在工業(yè)、視覺、通信及數(shù)據(jù)中心等領域的應用廣度與擴展能力。作為全球最大專注于FPGA的解決方案提供商,Altera將憑借自身獨特的優(yōu)勢,為當今由AI驅動的世界提供安全、可擴展、面向未來的可編程解決方案,以滿足持續(xù)增長的市場需求。
9月26日上午,由廣東省教育基金會發(fā)起的,村田集團華南區(qū)四家公司攜手參與的“綠色愛心電腦”項目,在陸河縣新田鎮(zhèn)中心小學舉行了捐贈儀式。該項目旨在通過捐贈電腦等電子設備,改善鄉(xiāng)村學校的教學條件。
近日,先進材料和特種化學品領域的全球領導者世索科發(fā)布全新的高溫牌號的無含氟表面活性劑(NFS)全氟橡膠(FFKM)產(chǎn)品組合。這一系列的創(chuàng)新產(chǎn)品經(jīng)過精心設計,可在最嚴苛的環(huán)境中提供卓越的密封性能,同時支持半導體行業(yè)向更可持續(xù)的未來邁進。
符合 AEC-Q200 標準、車規(guī)級 SDE0403AT 系列,具備更高電流密度與薄型設計,有助于提升電源效率并增強設計彈性
新款 SRN5040TA-P 系列為車規(guī)級、AEC-Q200 標準,符合先進車用系統(tǒng)對嚴苛溫度與可靠性的要求
全新車規(guī)級型號符合 AEC-Q200 標準,為電源線與汽車系統(tǒng)應用提供高效的 EMI 抑制與噪聲濾波解決方案
2025年9月24日至25日,作為工業(yè)和信息化部認定的北斗規(guī)模應用試點城市之一,云南省大理白族自治州(以下簡稱大理州)攜多項北斗創(chuàng)新應用成果、重點合作項目、區(qū)域和產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃前往湖南省株洲市,精彩亮相規(guī)??涨暗摹暗谒膶帽倍芬?guī)模應用國際峰會”。工業(yè)級5G創(chuàng)新應用(大理)研究院是大理州北斗規(guī)模應用主要承擔主體之一,在峰會期間積極支持和參與大理州通過經(jīng)驗分享、成果展示、項目簽約和產(chǎn)業(yè)交流等系列活動,全方位展現(xiàn)“北斗耀蒼洱” 的實踐成果與未來藍圖,為這場以“同世界?共北斗 ——智聯(lián)時空”為主題的國際盛會貢獻了“大理方案”。
作為游戲開發(fā)者的您是否曾苦苦設計和調(diào)試,只為讓玩家用戶能精準聽出敵人從身后躡足逼近的腳步聲?是否在混音時糾結,如何讓游戲、視頻和音樂的聲音以多通道環(huán)繞聲來展現(xiàn)磅礴的氣勢與細膩的細節(jié)?在追求極致沉浸感的今天,視覺的邊界已被無限拓寬,而聽覺——這一占據(jù)沉浸感50%以上的關鍵要素,卻常常被手中的硬件所束縛。真正的空間音頻創(chuàng)作,絕不能僅在立體聲耳機上開始,也絕不能在一塊普通的聲卡上結束。您需要的,是一個能完全釋放您創(chuàng)意、忠實還原每一個聲音細節(jié)的專業(yè)硬件工具。
中國上海,2025年9月30日——專業(yè)的圖像和顯示處理方案提供商逐點半導體今日正式發(fā)布人工智能SpacialEngine?空間媒體技術平臺。該平臺瞄準空間計算相關產(chǎn)業(yè),基于逐點半導體在視覺處理和空間媒體領域的深厚積累,率先探索從二維媒體到三維模型重建與AI實時渲染的可能性。未來可提供從終端設備到云端的跨平臺空間計算解決方案,實現(xiàn)從內(nèi)容創(chuàng)作到內(nèi)容消費的全鏈路升級。這也標志著公司在AI領域的戰(zhàn)略布局邁入全新階段,為沉浸式體驗在大眾市場的普及提供了關鍵支撐。
以嶄新活力和對創(chuàng)新及研發(fā)的深化承諾開啟新紀元,增長計劃將充分發(fā)揮已部署的 200 mm 產(chǎn)能優(yōu)勢,該產(chǎn)能將通過自由現(xiàn)金流生成能力實現(xiàn)資金自籌。
器件降低開關損耗并提高效率,Qrr 低至105 nC,VF 低至 1.45 V,結電容低,恢復時間短