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[導讀]Galaxy Note 7的意外離場,讓三星懊惱不已,除了要吸取失敗教訓外,還有就是加大產品的安全性,不能為了創(chuàng)新而創(chuàng)新,所以在這樣的大環(huán)境下,他們的Galaxy S8將會在明年4月份發(fā)布?,F(xiàn)在有消息稱,三星的Galaxy S8有可

Galaxy Note 7的意外離場,讓三星懊惱不已,除了要吸取失敗教訓外,還有就是加大產品的安全性,不能為了創(chuàng)新而創(chuàng)新,所以在這樣的大環(huán)境下,他們的Galaxy S8將會在明年4月份發(fā)布。

現(xiàn)在有消息稱,三星的Galaxy S8有可能會采用8GB內存和UFS 2.1閃存芯片,而今年的10月份,他們就曾發(fā)布公告稱,基于10nm工藝的首款8GB LPDDR4 DRAM成片。

需要注意的是,昨天產業(yè)鏈給出的消息稱,三星、臺積電目前都面臨一個問題,那就是10nm工藝良品率太低,而面對Galaxy S8這樣的產能,如果良品率不改善,恐怕8GB內存要等到Note 8上才能看到了。

另外,據(jù)說Galaxy S8將會推出兩個版本(雙曲面屏),一個配備5寸屏幕,其二則放大到6寸左右,并且有個單獨的名字叫Galaxy S8 Plus,兩者的Home鍵都要被干掉,以為提供屏占比,這樣的效果就是6寸的S8 Plus會比5.7寸的Note 7還要小。

希望這次的Galaxy S8會讓人驚艷。

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