隨著技術(shù)的發(fā)展,對功率的需求也在增加。氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)材料逐漸彰顯其作為新一代功率半導體骨干材料的潛力。這類材料功耗更低,性能卻優(yōu)于那些已趨成熟的硅器件。
changlele
菜鳥81號
liqinglong1023
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