關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
【2021年9月3日，德國慕尼黑訊】在電力電子和半導(dǎo)體市場，系統(tǒng)方法的發(fā)展勢頭越來越好。
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。
日前，英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)市場推廣總監(jiān)陳子穎先生和英飛凌科技電源與傳感事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用市場總監(jiān)程文濤先生在媒體采訪中就第三代半導(dǎo)體技術(shù)價值、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和技術(shù)趨勢進(jìn)行了深入解讀。
【2021年8月23日，德國慕尼黑訊】在英飛凌科技股份公司的協(xié)調(diào)下，“電子元件唯一可識別性的設(shè)計方法和硬件/軟件聯(lián)合驗(yàn)證”(VE-VIDES)研究項(xiàng)目已經(jīng)開始運(yùn)作。
英飛凌工業(yè)功率控制事業(yè)部大中華區(qū)應(yīng)用工程師周利偉
如何評估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫?英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM，是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對IPOSIM仿真中的散熱器熱阻參數(shù)Rthha，給大家做一些清晰和深入的解析。
英飛凌科技股份公司推出的全新MEMS*掃描儀解決方案，由MEMS鏡片和MEMS驅(qū)動器組成，可助力實(shí)現(xiàn)全新的產(chǎn)品設(shè)計。
【2021年8月12日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司和羅伯特·博世有限公司推出了一款用于輕型汽車發(fā)電機(jī)的新型超低損耗二極管—有源整流二極管。
近日，英飛凌科技股份有限公司推出 650 V CoolSiC? Hybrid IGBT 單管產(chǎn)品組合，具有650 V阻斷電壓。
近日，英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁(AIN) 陶瓷。
當(dāng)前，發(fā)展綠色經(jīng)濟(jì)，降低碳排放，已成為全球共識。在國家“30·60”碳達(dá)峰、碳中和的目標(biāo)愿景下，改變以化石能源為主的能源結(jié)構(gòu)，促進(jìn)能源體系向清潔低碳轉(zhuǎn)型，是大勢所趨和必經(jīng)之路。
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