賽迪顧問(wèn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究中心 王瑩
全球能源需求的不斷增長(zhǎng)以及環(huán)境保護(hù)意識(shí)的逐步提升使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場(chǎng)發(fā)展的新趨勢(shì)。為此,電源管理芯片、MOSFET等功率器件越來(lái)越多地應(yīng)用到整機(jī)產(chǎn)品中。在整機(jī)市場(chǎng)產(chǎn)量不斷增加以及功率器件在整機(jī)產(chǎn)品中應(yīng)用比例不斷提升的雙重帶動(dòng)下,中國(guó)功率器件市場(chǎng)在2007-2011年將繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)。但由于市場(chǎng)基數(shù)的不斷擴(kuò)大,市場(chǎng)增長(zhǎng)率將逐年下降。預(yù)計(jì)到2011年時(shí)中國(guó)功率器件市場(chǎng)銷售額將達(dá)到1680.4億元,2007年-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)年均復(fù)合增長(zhǎng)率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFET一直是占銷售額比重最大的兩類產(chǎn)品。
電源管理芯片份額不斷增大
雖然數(shù)字電源產(chǎn)品已經(jīng)出現(xiàn)多年,但一直沒(méi)有得到廣泛應(yīng)用,目前這種狀況已經(jīng)開(kāi)始發(fā)生改變,2006年業(yè)內(nèi)廠商推出了不少數(shù)字電源產(chǎn)品。目前來(lái)看,模擬產(chǎn)品在成本、性能、效率和速度方面具有一定優(yōu)勢(shì),而數(shù)字產(chǎn)品則更加靈活且可控性更高。隨著數(shù)字產(chǎn)品正在努力提升自身的性能和效率,將來(lái)在需要更高的可控性和復(fù)雜性的系統(tǒng)中,數(shù)字電源產(chǎn)品相對(duì)模擬產(chǎn)品將會(huì)更具優(yōu)勢(shì)。目前數(shù)字電源主要應(yīng)用于AC-DC領(lǐng)域,主要應(yīng)用產(chǎn)品包括服務(wù)器、3G基站、路由器、高端工業(yè)設(shè)備和醫(yī)療設(shè)備等產(chǎn)品,雖然現(xiàn)階段數(shù)字電源產(chǎn)品的應(yīng)用十分有限,但將來(lái)有可能成為電源管理產(chǎn)品發(fā)展的一種趨勢(shì)。
鑒于下游產(chǎn)品仍然存在數(shù)字電視、3G產(chǎn)品和便攜設(shè)備等明顯的增長(zhǎng)點(diǎn),以及2008年奧運(yùn)會(huì)、節(jié)能需求的增強(qiáng)和中國(guó)政府對(duì)于芯片行業(yè)的鼓勵(lì)政策都將刺激電源管理芯片市場(chǎng)的發(fā)展。未來(lái)幾年,中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)的發(fā)展速度將仍然高于全球市場(chǎng),其復(fù)合增長(zhǎng)率仍將高于20%。由于電源管理芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度快于功率分立器件市場(chǎng),這就導(dǎo)致電源管理芯片市場(chǎng)在功率器件市場(chǎng)中所占比重逐步提升,預(yù)計(jì)2011年電源管理芯片銷售額將占整體市場(chǎng)的46.2%。但隨著市場(chǎng)發(fā)展不斷成熟,中國(guó)電源管理芯片市場(chǎng)的發(fā)展速度減緩并接近全球電源管理芯片市場(chǎng)的發(fā)展速度是一種必然趨勢(shì)。
新技術(shù)提升MOSFET器件檔次
除電源管理芯片外,MOSFET(金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是占中國(guó)功率器件市場(chǎng)份額最大的產(chǎn)品。目前,MOSFET廣泛應(yīng)用在計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域中。在消費(fèi)電子領(lǐng)域中,隨著產(chǎn)品功能的日益豐富,對(duì)于電源管理的要求不斷提升。同時(shí)為了實(shí)現(xiàn)不同功能,主板上對(duì)于不同電壓等級(jí)的需求也逐步增多,這些都將促進(jìn)MOSFET在如DC、LCD TV等消費(fèi)電子產(chǎn)品中的應(yīng)用持續(xù)增長(zhǎng)。在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域中,主板以及臺(tái)式機(jī)、筆記本電源則是MOSFET最主要的應(yīng)用產(chǎn)品。受到消費(fèi)電子以及高輸出電流和高性能要求的計(jì)算機(jī)市場(chǎng)的帶動(dòng),低壓MOSFET市場(chǎng)在未來(lái)將保持著比較快的增長(zhǎng)趨勢(shì)。對(duì)于高壓MOSFET來(lái)說(shuō),電源的高能效要求則是影響產(chǎn)品未來(lái)發(fā)展的主要因素。而隨著汽車(chē)中IC用量的逐步增多,為了滿足這些日益增多的IC對(duì)電源的需求,MOSFET的用量也呈現(xiàn)出上升趨勢(shì)。現(xiàn)階段,MOSFET在汽車(chē)領(lǐng)域中主要應(yīng)用在啟動(dòng)機(jī)、車(chē)燈控制、音響系統(tǒng)、車(chē)身控制、引擎管理、防盜、車(chē)廂環(huán)境控制、動(dòng)力傳輸系統(tǒng)等。但由于功率MOSFET在汽車(chē)中通常在相對(duì)惡劣的環(huán)境條件下工作,所以對(duì)于MOSFET的可靠性要求較高,如何解決環(huán)境溫度升高引起的器件產(chǎn)品不穩(wěn)定性是生產(chǎn)廠商必須解決的問(wèn)題。除此之外,工業(yè)控制也是MOSFET市場(chǎng)的另一大主要應(yīng)用領(lǐng)域。
由于Trench技術(shù)能夠有效地降低產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻,并且具有較大電流處理能力,所以近年來(lái)Trench MOSFET在計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域中發(fā)展快速。目前,對(duì)于低壓MOSFET產(chǎn)品,Trench MOSFET技術(shù)已被市場(chǎng)所接受,具有很高的市場(chǎng)占有率。但由于Trench MOSFET器件結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)使得Trench MOSFET產(chǎn)品在擊穿電壓上的承受能力較小。不過(guò),隨著制作工藝中的清洗技術(shù)及離子刻蝕技術(shù)的日漸成熟,Trench MOSFET的擊穿電壓也得到了逐步的提升。但從整體上來(lái)看,在高壓MOSFET市場(chǎng)上,平面技術(shù)仍有一定的發(fā)展空間。未來(lái),含有高端工藝的平面技術(shù)將會(huì)是高壓MOSFET的發(fā)展趨勢(shì)。
在600V以上的高壓產(chǎn)品中,IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)也一直保持著良好的發(fā)展勢(shì)頭。目前,IGBT主要應(yīng)用在工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域中。而網(wǎng)絡(luò)通信和計(jì)算機(jī)領(lǐng)域應(yīng)用到IGBT的整機(jī)產(chǎn)品有限,因此對(duì)IGBT的需求量不大。從電壓結(jié)構(gòu)上看,600V-1200V將是IGBT最主要的電壓應(yīng)用等級(jí)。由于工業(yè)控制領(lǐng)域使用IGBT以600V、1200V和1700V為主。同時(shí),IPM/SPM或PIM模塊也廣泛應(yīng)用在工業(yè)產(chǎn)品中,這就使得用于工業(yè)控制領(lǐng)域的IGBT平均價(jià)格較高,從而提升了其銷售額的市場(chǎng)占有率。在下游整機(jī)產(chǎn)品的帶動(dòng)下,預(yù)計(jì)2007-2010年中國(guó)IGBT市場(chǎng)銷售額年均復(fù)合增長(zhǎng)率為19.3%。
國(guó)際大廠仍主導(dǎo)中國(guó)高端市場(chǎng)
綜觀整個(gè)中國(guó)功率器件市場(chǎng),國(guó)外廠商憑借著技術(shù)、資金的優(yōu)勢(shì)在電源管理芯片、MOSFET、IGBT等高端產(chǎn)品中占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)地位。Fairchild、ST、IR等歐美企業(yè)在中國(guó)MOSFET市場(chǎng)上一直位于領(lǐng)先地位,Semikron、EUPEC、Mitsubishi則在IGBT市場(chǎng)上表現(xiàn)不俗,對(duì)于電源管理芯片市場(chǎng)來(lái)說(shuō)TI則是最大的供應(yīng)商。相較于國(guó)際大廠在高端產(chǎn)品市場(chǎng)中的出色表現(xiàn),國(guó)內(nèi)企業(yè)則主要從事一些低端產(chǎn)品的生產(chǎn)。國(guó)內(nèi)企業(yè)紛紛進(jìn)入低端功率器件市場(chǎng)使得國(guó)內(nèi)功率器件市場(chǎng)廠商集中度要低于MOSFET、IGBT和電源管理芯片等高端產(chǎn)品市場(chǎng)。從整體市場(chǎng)上看,中國(guó)功率器件市場(chǎng)中依舊是Fairchild、ST、TI、IR等國(guó)際大廠占據(jù)領(lǐng)先地位。
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所以,我想說(shuō)這個(gè)概念是完全可擴(kuò)展的。因此,我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件,或?yàn)楦吖β手谱鞣浅5偷?RDS (on) 部件。通過(guò)簡(jiǎn)單地重塑設(shè)計(jì),它可以擴(kuò)展到低電壓,但這個(gè)概念是成立的。這就是我們基本上...
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氮化鎵
功率器件
瑞森超結(jié)mos對(duì)標(biāo)英飛凌產(chǎn)品性能,看其在電源中的應(yīng)用
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功率器件
從碳達(dá)峰到碳中和,無(wú)疑是需要付出艱苦努力的。對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)者們來(lái)說(shuō),則意味著一系列與新能源、電子轉(zhuǎn)換、節(jié)電相關(guān)的技術(shù)產(chǎn)品需求會(huì)在未來(lái)幾年內(nèi)迅速升溫。我們有理由相信,面對(duì)浩瀚如海洋星辰的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè),通過(guò)持續(xù)的材料、技術(shù)...
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英飛凌
功率器件
物聯(lián)網(wǎng)
我們?nèi)绾慰创磥?lái)幾年的 GaN?與 GaN 競(jìng)爭(zhēng)的其他寬帶隙材料有哪些?所以,我提到了碳化硅。因此,這些天來(lái),我們也在談?wù)撾妱?dòng)汽車(chē)。那么,與其他解決方案相比,GaN 在哪些方面可以提供更好的價(jià)值呢?我們期望在哪里看到下一...
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氮化鎵
功率器件
移動(dòng)電話和平板電腦等便攜式設(shè)備需要電源管理技術(shù)來(lái)滿足日益具有挑戰(zhàn)性的性能要求。消費(fèi)者正在以新的方式使用智能手機(jī):他們希望顯示高清 GPS 視頻和地圖;進(jìn)行雙向視頻通話;玩更吸引人的游戲;和流音樂(lè)。此類應(yīng)用的片上系統(tǒng) (S...
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電源管理
電池管理
傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因?yàn)樵礃O和漏極之間的傳導(dǎo)通道無(wú)法被夾斷,因此不適合數(shù)字開(kāi)關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個(gè)耗盡型 MOSFET——只...
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MOSFET
數(shù)字開(kāi)關(guān)
目前有幾個(gè) GaN 器件概念。那么你能告訴我哪些是主要的,從設(shè)計(jì)的角度來(lái)看你的發(fā)展方向是什么?
所以我想說(shuō)有很多概念,遠(yuǎn)不止兩個(gè),但不知何故,我們可以談?wù)摌O端:所謂的Cascode GaN和所謂的增強(qiáng)模式GaN。由于我...
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氮化鎵
功率器件
氮化鎵提高了功率轉(zhuǎn)換級(jí)的效率。GaN 很有吸引力,因?yàn)樗裙杈哂懈叩哪苄А⒏〉某叽?、更輕的重量和更便宜的總成本。在劍橋 GaN 器件業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)副總裁 Andrea Bricconi 的討論中,我們將分析這個(gè)寬帶隙生態(tài)系...
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GaN
功率器件
目前SiC在成本方面,以及 150 毫米直徑的基板或 200 毫米。因此,展望未來(lái),重點(diǎn)將放在開(kāi)發(fā)用于擴(kuò)大碳化硅器件應(yīng)用的技術(shù)上。有分析認(rèn)為,未來(lái)未來(lái),碳化硅解決方案將占據(jù)電力電子市場(chǎng)的很大一部分,很大一部分,可以說(shuō)是電...
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SiC器件
功率器件
如我們所知,目前增長(zhǎng)最快的碳化硅產(chǎn)品是二極管和 MOSFET。主要碳化硅生產(chǎn)商最近發(fā)布的新聞稿強(qiáng)調(diào)了一些為電動(dòng)汽車(chē)提供模塊的長(zhǎng)期合同。
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SiC器件
功率器件
在多個(gè)能源行業(yè)中,碳化硅 (SiC) 行業(yè)正在擴(kuò)展以提供高效,而碳化硅 (SiC) 正在多個(gè)能源行業(yè)擴(kuò)展以提供極其高效和緊湊的解決方案。由于碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)和新能源等領(lǐng)域的重要性,許多公司正在評(píng)估和投資晶圓技術(shù)。在華威大...
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SiC器件
功率器件
今天,由于該領(lǐng)域眾多公司的研究,功率器件已達(dá)到極高的效率水平。優(yōu)異的成績(jī)是由于不同電子和物理部門(mén)的協(xié)同作用,它們結(jié)合在一起,可以達(dá)到最高水平。讓我們看看功率器件的封裝和集成如何實(shí)現(xiàn)非常高的效率,尤其是在高開(kāi)關(guān)速度下,從而...
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功率器件
器件封裝
從智能設(shè)備充電器等低功率、低成本應(yīng)用一直到高功率汽車(chē)應(yīng)用,氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下,設(shè)計(jì)人員對(duì) GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻,這導(dǎo)致器件具有比硅同類產(chǎn)品更大的功率能力。然而,高...
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GaN
功率器件
為了最大限度地減少開(kāi)關(guān)階段的功耗,必須盡快對(duì)柵極電容器進(jìn)行充電和放電。市場(chǎng)提供了特殊的電路來(lái)最小化這個(gè)過(guò)渡期。如果驅(qū)動(dòng)器可以提供更高的柵極電流,則功率損耗會(huì)降低,因?yàn)楣β仕矐B(tài)的峰值會(huì)更短。一般來(lái)說(shuō),柵極驅(qū)動(dòng)器執(zhí)行以下任務(wù)...
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柵極驅(qū)動(dòng)器
MOSFET
在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),可以使用仿真模型在多個(gè)設(shè)計(jì)維度之間進(jìn)行權(quán)衡。使用有源器件的簡(jiǎn)易開(kāi)關(guān)模型可以進(jìn)行快速仿真,帶來(lái)更多的工程洞見(jiàn)。然而,與制造商精細(xì)的器件模型相比,這種簡(jiǎn)易的器件模型無(wú)法在設(shè)計(jì)中提供與之相匹敵的可信度。本文...
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英飛凌
MOSFET
氮化鎵是一種具有較大帶隙的下一代半導(dǎo)體技術(shù),已成為精密電力電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵。它比硅快20×,可以提供高達(dá)3×的功率或充電,其尺寸和重量是硅器件的一半。
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氮化鎵
功率器件
該穩(wěn)壓器內(nèi)置一個(gè)MOSFET和一個(gè)續(xù)流二極管,MOSFET提供交流發(fā)電機(jī)勵(lì)磁電流,當(dāng)勵(lì)磁關(guān)閉時(shí),續(xù)流二極管負(fù)責(zé)提供轉(zhuǎn)子電流。發(fā)電機(jī)閉環(huán)運(yùn)行具有負(fù)載響應(yīng)控制 (LRC)和回路LRC控制,當(dāng)車(chē)輛的整體電能需求不斷變化時(shí),使輸...
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意法半導(dǎo)體
穩(wěn)壓器
MOSFET
續(xù)流二極管
2022年樂(lè)瓦微推出新一代-60V P 溝道 SGT MOSFET系列產(chǎn)品,性能達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。P 溝道 MOSFET采用空穴流作為載流子,其遷移率小于N溝道 MOSFET 中的電子流,獨(dú)特的柵極負(fù)壓開(kāi)啟機(jī)制,使其成為...
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MOSFET
柵極驅(qū)動(dòng)
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中,功率器件需要承受過(guò)載或故障條件,這些條件會(huì)造成器件處于高電壓和高電流導(dǎo)通狀態(tài)且器件處于飽和狀態(tài)。高溫會(huì)導(dǎo)致災(zāi)難性的破壞。功率器件及其柵極驅(qū)動(dòng)器需要協(xié)同工作才能關(guān)閉器件,之前將 1us 視為正常響應(yīng)時(shí)間。...
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GaN HEMT
功率器件