Airfast RF功率解決方案通過新型LDMOS和GaN功率晶體管產(chǎn)品提供卓越性能和業(yè)界領(lǐng)先的耐用性

21ic訊 飛思卡爾半導(dǎo)體日前宣布為其Airfast RF功率解決方案旗艦系列推出了多個最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管和一個氮化鎵(GaN) 晶體管，所有產(chǎn)品均超越了嚴(yán)格的地面移動市場要求，具有超強(qiáng)耐用性。

全新Airfast LDMOS功率晶體管提供了穩(wěn)定性、增益和耐用性的完美結(jié)合。 新型Airfast GaN器件主要面向多頻帶應(yīng)用，減少了對大型、復(fù)雜甚至是多個無線基站需求。 綜上所述，這些解決方案為地面移動應(yīng)用提供了高級設(shè)計選擇組合。

飛思卡爾新型AFT09MS007N、AFT09MP055N和AFT09MS015N LDMOS功率放大器的設(shè)計意圖是在極端惡劣的運行條件下完美運行，為地面移動無線射頻應(yīng)用提供卓越的性能、穩(wěn)定性和增益。這些器件是公共安全、專業(yè)移動無線基站和其他惡劣的M2M通信環(huán)境使用的移動VHF、UHF和700-900 MHz收發(fā)器的理想選擇。

即使同時讓電壓及驅(qū)動都超載來壓迫放大器及RF功率晶體管，這三款新型Airfast RF LDMOS功率產(chǎn)品仍能夠承受> 65:1的VSWR。他們整合了許多維持穩(wěn)定性所需的電路，因此能夠簡化設(shè)計，并且在各種操作條件下都能維持穩(wěn)定。飛思卡爾面向地面移動市場的最新LDMOS Airfast RF功率產(chǎn)品附帶全面、廣泛的參考設(shè)計，僅需少量電感器和電容器便可完成設(shè)計，與基于模塊的解決方案相比，在類似的體積內(nèi)提供了更高效率和線性。另外，Airfast RF功率器件的效益通?？蛇_(dá)65%或更高，顯著高于模塊化和競爭性的分立器件。

飛思卡爾高級副總裁兼RF業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Ritu Favre表示：“直到目前，工程師在開發(fā)需要大型、復(fù)雜且設(shè)計昂貴的多頻帶系統(tǒng)時仍然面臨巨大的挑戰(zhàn)。我們Airfast RF功率組合的新產(chǎn)品可為地面移動設(shè)計師提供卓越的寬帶性能，所有特性均封裝于超緊湊的空間。”

對于無線運營商和公共安全人員，能夠與多個機(jī)構(gòu)通信的能力對于在發(fā)生緊急情況時采取快速、有序且高效的措施至關(guān)重要。飛思卡爾的新型Airfast AFG30S010 GaN器件的寬帶性能使單一功率放大器可以支持許多地面移動頻帶，避免了為多機(jī)構(gòu)通信設(shè)計大型、昂貴、復(fù)雜的多頻帶系統(tǒng)的需求。AFG30S010 GaN器件具有高效、先進(jìn)的熱性能，提供的功能可以減小放大器占用的空間，對于在更小的產(chǎn)品空間中滿足客戶需求非常關(guān)鍵。

產(chǎn)品規(guī)格

在手持對講機(jī)應(yīng)用中，新型Airfast LDMOS器件在額定7.5 Vdc電源下運行，在移動無線應(yīng)用中，新型Airfast LDMOS器件在12.5 Vdc電源下運行，同時集成ESD保護(hù)。 Airfast GaN器件在28 Vdc電源下運行。

AFT09MS007N、AFT09MP055N和AFT09MS015N

— 可承受> 65:1的VSWR，具有同步過壓和過載

— 優(yōu)化系統(tǒng)可靠性，降低維護(hù)成本

— 高功率增益需要較少的階段并提高穩(wěn)定性

— 更高的效率，簡化散熱并實現(xiàn)更小的基站。

AFG30S010

— 整個136-941 MHz頻帶功耗10 W

— 可承受> 20:1的VSWR，具有同步過壓和過載

— 優(yōu)化系統(tǒng)可靠性，降低維護(hù)成本

— 避免使用復(fù)雜的保護(hù)電路，降低了總體系統(tǒng)成本

— 在寬泛頻率范圍內(nèi)實現(xiàn)高效率

供貨

AFT09MS007N 7 W和AFT09MP055N 55 W器件計劃于2013年第2季度投產(chǎn)。AFT09MS015N 15 W和AFG03S010器件的樣品計劃于2013年第4季度供貨。為設(shè)計工程師提供參考設(shè)計和其他支持工具。