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[導讀] 電感和電容的設計是獲得快速瞬態(tài)響應性能,以及在led背光應用中實現(xiàn)纖薄設計的關鍵因素之一。由于電感是能量儲存器件,故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外,為了獲得較低的紋波電流,建議采用較高的電

    電感和電容的設計是獲得快速瞬態(tài)響應性能,以及在led背光應用中實現(xiàn)纖薄設計的關鍵因素之一。由于電感是能量儲存器件,故需要具有低DCR、高飽和電流的薄型電感。此外,為了獲得較低的紋波電流,建議采用較高的電感值。電感值可通過下面的方程式4)計算得出:

  這里,fs為開關頻率,VOUT為輸出電壓,VIN為輸入電源電壓,ΔIL為電感紋波電流。
輸出電容影響輸出電壓紋波,而較小的輸出電壓紋波可降低水波紋干擾(waterfall noise)。一般而言,輸出電容值越大,輸出紋波電壓就越小。輸出紋波ΔVOUT的計算公式如下所示:

  這里,COUT是輸出電容,ESR是輸出端的等效串聯(lián)阻抗。

飛兆半導體的功率解決方案

  電源設計的發(fā)展趨勢主要是通過降低損耗來提高效率。電源系統(tǒng)要想獲得高效率,選擇具有低導通阻抗(RDS(ON))和柵極電荷(Qg)特性的開關器件十分重要。飛兆半導體在中壓MOSFET(BVDSS:100 ~ 200V)中引入了新的溝槽技術,使其具有較低的柵極電荷特性和出色的額定導通阻抗,從而能夠降低開關損耗與導通損耗。特別是在應用中,控制MOSFET的開關損耗是提高效率的關鍵所在,因為MOSFET工作在硬開關條件下。飛兆半導體新推出的溝槽技術MOSFET,具有更低的柵極電荷與導通阻抗,針對升壓轉換器進行了充分優(yōu)化。表2顯示了采用FDD86102與采用同類傳統(tǒng)MOSFET的比較結果。

  

  由于柵漏電容(米勒電容)的減小,F(xiàn)DD86102的總柵極電荷相比傳統(tǒng)器件減少了40%。在高頻應用中,柵極電荷減少的一個好處是降低了開關損耗,從而提高了高頻應用的效率。

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  高效率和低溫特性是LCD顯示器的關鍵性能參數(shù),因為小而薄的結構是顯示器系統(tǒng)的一個關鍵指標。一般而言,在室溫25℃且無空氣對流的情況下,顯示器中的MOSFET和電感器等主要元件的增溫不應該超過65℃。圖8和圖9所示為效率及熱性能的分析結果。

結論

  本文對側光式LED BLU應用中作為高升壓比DC-DC轉換器的倍壓升壓型轉換器和耦合電感型轉換器進行了介紹和分析。為了降低高工作頻率應用中的功率損失,飛兆半導體提供面向升壓轉換器的最優(yōu)化100V MOSFET,具有低導通阻抗和低柵極電荷。根據(jù)LCD平板的尺寸,還可提供Power33、DPAK等不同封裝形式。
 

 

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