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[導(dǎo)讀]對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的噪聲,除了芯片本身,Layout的設(shè)計(jì)最為重要,記錄一些相關(guān)的技巧。不少關(guān)于EMI的觀(guān)念具有通用性。下面我們談?wù)勱P(guān)于開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵問(wèn)題。AC和DC電流路

對(duì)于開(kāi)關(guān)電源的噪聲,除了芯片本身,Layout的設(shè)計(jì)最為重要,記錄一些相關(guān)的技巧。不少關(guān)于EMI的觀(guān)念具有通用性。下面我們談?wù)勱P(guān)于開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的一些關(guān)鍵問(wèn)題。

AC和DC電流路徑

開(kāi)關(guān)電源在導(dǎo)通和關(guān)閉兩種狀態(tài)下的電流回路不盡相同,于是在部分支路上會(huì)出現(xiàn)階躍電流(step current)(圖1. C),這就是所謂需要關(guān)注的AC電流路徑。

以PCB走線(xiàn)20nH/inch計(jì)算,典型buck converter的AC電流路徑上電流變化大約是開(kāi)關(guān)電源關(guān)閉轉(zhuǎn)換時(shí)負(fù)載電流大小的1.2倍,是導(dǎo)通轉(zhuǎn)換時(shí)負(fù)載電流的80%。高速場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)換時(shí)間為30ns,Bipolar的轉(zhuǎn)換時(shí)間為70ns;根據(jù)V=L*dI/dt,當(dāng)轉(zhuǎn)換時(shí)間(transition time)為30ns的1安培電流流過(guò)的一英寸走線(xiàn)將產(chǎn)生0.7V的電壓,相同時(shí)間3安培兩英寸走線(xiàn)就是4V!所以第一條準(zhǔn)則便是:吝惜AC電流路徑走線(xiàn)長(zhǎng)度。

此外電源芯片的GND腳走線(xiàn)盡可能短以防止出現(xiàn)“地彈”(ground bounce),輸入電容位置應(yīng)靠近芯片。

元件要“扎堆”

最大的遺憾是不能把元件重疊起來(lái),因此究竟先考慮哪個(gè)元件就十分重要了。

準(zhǔn)則一:輸入端的兩個(gè)電容Cin和Cbypass。

輸入端電容的作用是抑制輸入電壓的波動(dòng)。輸入電壓的波動(dòng)主要來(lái)自電源開(kāi)關(guān)時(shí)的脈沖輸入電流,Bulk電源的輸出電流較平整(LC串聯(lián)電路);Boost電源的情況正好相反,輸入電容電流平整,脈沖電流進(jìn)入輸出電容。原文還提及了Buck-Boost或“flyback”(回掃),Cuk(據(jù)說(shuō)這種是理想的DC-DC轉(zhuǎn)換器,不存在所謂AC電流路徑,輸入輸出全是平整電流,沒(méi)玩過(guò)L)等電源,其輸入輸出電容上的電流狀況取決于各自的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

在開(kāi)關(guān)電源導(dǎo)通的瞬間,大部分脈沖電流來(lái)自Cbypass,其余部分主要來(lái)自Cin,只有那些緩慢變化的電流才來(lái)自DC輸入電源。因此輸入電容實(shí)際為芯片提供了脈沖電流源,如果輸入電容的ESR和ESL太高會(huì)造成不必要的高頻輸入電壓紋波,我們看到這句話(huà)千萬(wàn)不可理解為要無(wú)限加大輸入電容,由開(kāi)關(guān)頻率(100K-260K)產(chǎn)生的自然輸入電壓紋波不在考慮范圍,俺們考慮的是在轉(zhuǎn)換瞬間頻率為10MHz-30MHz噪聲,特別的對(duì)于高速開(kāi)關(guān)電源(這里的高速和開(kāi)關(guān)的頻率并無(wú)多大關(guān)系,而是指開(kāi)關(guān)的轉(zhuǎn)換時(shí)間,F(xiàn)ET速度快于Bipolar),將一個(gè)0.1uF-0.47uF的貼片電容Cbypass盡可能靠近芯片,Bulk電容Cin個(gè)頭大,可以距離稍遠(yuǎn)(一英寸)。

準(zhǔn)則二:Cbypass電容和開(kāi)關(guān)電源芯片親密接觸!

環(huán)流二極管(catch diode,有時(shí)也用MOS管)的位置也至關(guān)重要,它和芯片的連線(xiàn)是開(kāi)關(guān)電源最為活躍的地區(qū),處理不好的走線(xiàn)電感會(huì)在輸出方波信號(hào)上疊加毛刺電壓。

準(zhǔn)則三:環(huán)流二極管緊貼IC,連接IC的SW pin以及GND pin形成一個(gè)緊湊的回流路徑。如果已經(jīng)遇到了毛刺電壓,可以加一個(gè)RC緩沖器(RC snubber)吸收走線(xiàn)寄生電感引起的噪聲,位置也必須靠近IC的開(kāi)關(guān)腳和地腳,典型的R值為10ohm-100ohm,C值為470pF-2.2nF(電容值過(guò)大會(huì)造成不必要的功率損耗,1/2*C*V2*f)。

加寬走線(xiàn)對(duì)減少寄生電感有用嗎

基本沒(méi)用,相反會(huì)造成EMI輻射

增加10倍走線(xiàn)寬度可以降低1/2的寄生電感,近似無(wú)效的投入!增加銅箔厚度也沒(méi)用。在A(yíng)C回路所包含的區(qū)域電場(chǎng)和磁場(chǎng)的交互作用會(huì)向外輻射噪聲,假如包含的區(qū)域較大那就正好起到了“發(fā)射天線(xiàn)”的作用。準(zhǔn)則四:減小AC電流回路面積,減小AC電壓銅箔面積,可以降低EMI輻射。要降低寄生電感,最先考慮減小走線(xiàn)長(zhǎng)度。

鋪銅鋪到何時(shí)休

1) 承載電流的能力

走線(xiàn)電阻在阻礙電流流過(guò)的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生熱量,給個(gè)經(jīng)驗(yàn)準(zhǔn)則五:

對(duì)于5安培以下電流,溫度上升容限30°C

1盎司銅厚(1.4mil)每安培走線(xiàn)寬度至少增加12 mils

2盎司銅厚(2.8mil)每安培走線(xiàn)寬度至少增加7 mils

2) 走線(xiàn)電感

減小走線(xiàn)電感的最佳辦法是增加完整的地層,電流不會(huì)無(wú)休止的朝著一個(gè)方向流下去,它一定會(huì)找到它最喜歡的返回路徑。之前關(guān)于走線(xiàn)電感的估算都是建立在回流路徑非常大,假設(shè)單根導(dǎo)線(xiàn)的情況。如果有一個(gè)完整的地層處于走線(xiàn)的下方,回流路徑就是走線(xiàn)在地層上的“鏡像”,平行的兩根導(dǎo)體電流流向相反時(shí)磁場(chǎng)互相抵消,寄生電感也隨之減小。

3)散熱管理

沒(méi)太多可以討論的,記住FR4也是很好的導(dǎo)熱材料,合理利用它和銅箔,還有導(dǎo)熱鉆孔。

地平面

保證其完整性,遇到大功率場(chǎng)合可能需要多層地。

原文提到雙面板鋪地后,地上耦合噪聲過(guò)大自身也向外輻射的問(wèn)題。

信號(hào)線(xiàn):反饋

反饋線(xiàn)是唯一需要注意的信號(hào)線(xiàn),可能拾取噪聲而使電源工作不正常。拾取噪聲的前提條件是走線(xiàn)兩端至少有一端是連到高阻抗的節(jié)點(diǎn),如誤差比較放大器的輸入端(在開(kāi)關(guān)電源芯片內(nèi)部)。分辨清楚哪根走線(xiàn)才是可能拾取噪聲的,分壓電阻位置靠近IC。所以最后一條準(zhǔn)則是:反饋信號(hào)走線(xiàn)遠(yuǎn)離噪聲源;或者/同時(shí)走線(xiàn)長(zhǎng)度短。

總結(jié)

沒(méi)有電路圖看這篇筆記是沒(méi)用的,理解開(kāi)關(guān)電源工作原理以及各支路上電流電壓的變化,找到AC電流路徑和關(guān)鍵器件Cbypass和環(huán)流二極管,才算把問(wèn)題弄清楚。

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