在高端電信應(yīng)用中,我們經(jīng)常面臨跨大型印刷電路板 (PCB) 供電的挑戰(zhàn)。為了給關(guān)鍵的 ASIC 和處理器提供寶貴的空間,電源通常被分配到電路板的角落或邊緣。為了補(bǔ)償電源路徑的電阻下降,通常使用遠(yuǎn)程感應(yīng)——特別是對于低壓、大電流應(yīng)用。負(fù)載的動態(tài)特性,加上電源路徑的寄生電阻,可能會影響電源的運(yùn)行,如果不注意的話。以下是使用遠(yuǎn)程電源時避免陷阱的 3 種方法:
許多控制回路應(yīng)用要求您避免與輸入相關(guān)的意外極性反轉(zhuǎn)。這是因為如果一個階段的輸出以意想不到的方式改變極性,控制回路的響應(yīng)會導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。在這篇文章中,我將研究這個問題并提出一種簡單的方法來避免它在電路中出現(xiàn)。
EMI 就像夜深人靜的幽靈一樣,不正常。但是,盡管與 EMI 相關(guān)的問題正在增加,但仍有一些方法可以在您的設(shè)計中避免它們。
在閱讀和研究文章和互聯(lián)網(wǎng)上的大量觀點時,很容易假設(shè)知情人士一致認(rèn)為,使用傳統(tǒng)低成本 PCB 材料進(jìn)行下一代高速設(shè)計的日子已經(jīng)一去不復(fù)返了走了。還有一種觀點認(rèn)為,現(xiàn)代技術(shù)(如 PCIe 5.0 及更高版本)的要求已將電路板設(shè)計和制造的界限推向了邊緣。
當(dāng)我們使用有源負(fù)載測試電路來確保微處理器或其他數(shù)字負(fù)載的電源提供 100A 瞬態(tài)電流。這種有源負(fù)載可以為電源提供直流負(fù)載,并且可以在直流電平之間快速切換。這些瞬態(tài)負(fù)載模擬微處理器中的快速邏輯切換。
隨著 PC 板上的接口速度越來越快,管理電磁干擾 (EMI) 是設(shè)計人員面臨的最大挑戰(zhàn)之一。無用發(fā)射的可能原因有很多。以下是一些可能導(dǎo)致 EMI 問題的示例:
有人曾經(jīng)告訴我,實際上只有不到一半的組件出現(xiàn)在降壓轉(zhuǎn)換器的原理圖中。其余的組件是(不需要的)獎勵,由電路板布局設(shè)計和與所選組件相關(guān)的寄生元素產(chǎn)生。
CAN是一種用于實時應(yīng)用的串行通訊協(xié)議總線,CAN能夠使用雙絞線來傳輸信號,是國際上應(yīng)用最廣泛的現(xiàn)場總線之一。CAN總線的傳輸方式是串行數(shù)據(jù)傳輸,能夠在1Mb/s的速率40m的雙絞線上運(yùn)行,還能夠使用光纜連接。CAN在細(xì)節(jié)上很多地方與I2C總線差不多,不過也有一些區(qū)別比較明顯。CAN總線用報文形式廣播的方式從一個節(jié)點向另一個節(jié)點發(fā)送數(shù)據(jù)。對于節(jié)點來說,不管這個數(shù)據(jù)是發(fā)到哪里的,自己都要接收。
在這篇文章中,我將研究使用 LVDS 接收器作為高速比較器,這在晶體振蕩器的輸出不是最佳的應(yīng)用中或在出廠設(shè)置中的光電檢測器電路中非常有用。
對于二極管的單向?qū)ㄌ匦?,我們最熟悉的?yīng)用就要屬二極管整流了,還有一種鉗位電路,也是利用它的這一特性。所謂的鉗位,就是將信號強(qiáng)行鉗制到某一電位上,抬高或降低信號的基準(zhǔn)電位,但不改變原信號的波形,這就是鉗位了.
為了減少消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電力浪費(fèi),政府制定了許多政策措施來減少交流到直流電源的空載或待機(jī)功率。其中包括環(huán)境保護(hù)署 (EPA) 的能源之星和歐盟的備用倡議。之前有篇文章中討論了反激式電源中常用的耗散大量待機(jī)功率的組件。在那篇文章中,專家建議使用反激式轉(zhuǎn)換器 IC,通過消除光耦合器反饋電路來降低功耗。然而,這需要完全重新設(shè)計電源?;蛘撸ㄟ^更換TL431與ATL431的待機(jī)功耗可以顯著降低,而無需進(jìn)行重大的重新設(shè)計。
如果你問工程師他們是否想要一個高效可靠的系統(tǒng),答案當(dāng)然是肯定的。效率和可靠性的定義是什么——以及最終實現(xiàn)系統(tǒng)所需的條件——并不容易回答。
整個電力電子行業(yè),包括射頻應(yīng)用和涉及高速信號的系統(tǒng),都在朝著在越來越小的空間內(nèi)提供越來越復(fù)雜的功能的解決方案發(fā)展。設(shè)計人員在滿足系統(tǒng)尺寸、重量和功率要求方面面臨越來越苛刻的挑戰(zhàn),其中包括有效的熱管理,從印刷電路板的設(shè)計開始。
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅,因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受,但專家們?nèi)栽诓粩鄼z查其真實性。
在本文中,我們分析了一些碳化硅和氮化鎵 FET器件的靜態(tài)和動態(tài)行為。公司正在將精力集中在這些類型的組件上,這些組件允許創(chuàng)建高效轉(zhuǎn)換器和逆變器。