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摘 要:為了保證飛機(jī)飛行安全,文中設(shè)計(jì)了基于無(wú)線(xiàn)電高度表的音響告警信號(hào)檢測(cè)系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)了對(duì)音響告警信號(hào)電壓、頻率、響應(yīng)時(shí)間信號(hào)的測(cè)試。通過(guò)對(duì)音響告警信號(hào)的分析,提出了硬件電路分壓、比較和頻率信號(hào)采集的實(shí)現(xiàn)方法,可對(duì)音響告警...
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音響告警信號(hào)
實(shí)現(xiàn)方法
多指標(biāo)
測(cè)試電路
由于鋰電池的體積密度、能量密度高,并有高達(dá)4.2V的單節(jié)電池電壓,因此在手機(jī)、PDA和數(shù)碼相機(jī)等便攜式電子產(chǎn)品中獲得了廣泛的應(yīng)用。為了確保使用的安全性,鋰電池在應(yīng)用中必須有相應(yīng)的電池管理電路
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保護(hù)ic
測(cè)試電路
鋰電池
光電耦合器運(yùn)用廣泛,筆者依據(jù)光電耦合器特性,設(shè)計(jì)一個(gè)方便的測(cè)試光電耦合器電路,該電路簡(jiǎn)單、準(zhǔn)確,使用方便。電路原理: 當(dāng)電源接通后,LED不發(fā)光。按下S2,LED會(huì)發(fā)光。調(diào)RP,LED的發(fā)光強(qiáng)...
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光電耦合器
測(cè)試電路
該文講述了二極管正向浪涌電流測(cè)試的基本要求和標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法,針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法存在的不足,設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了采用信號(hào)控制、電容儲(chǔ)能和大功率場(chǎng)效應(yīng)管晶體管電流驅(qū)動(dòng)的電路解決方案,簡(jiǎn)潔而又高效地實(shí)現(xiàn)了二極
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二極管
測(cè)試電路
浪涌電流
該文講述了二極管正向浪涌電流測(cè)試的基本要求和標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法,針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法存在的不足,設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了采用信號(hào)控制、電容儲(chǔ)能和大功率場(chǎng)效應(yīng)管晶體管電流驅(qū)動(dòng)的電路解決方案,簡(jiǎn)潔而又高效地實(shí)現(xiàn)了二極管正向浪涌電流的測(cè)試。
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二極管
測(cè)試電路
浪涌電流
現(xiàn)在經(jīng)常使用三種測(cè)試電路拓?fù)鋵?duì)運(yùn)算放大器DC參數(shù)進(jìn)行工作臺(tái)及生產(chǎn)測(cè)試。
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參數(shù)
運(yùn)算放大器
測(cè)試電路
NE555是應(yīng)用最為廣泛的時(shí)基集成電路,也是世界上生產(chǎn)最多的芯片,下面我們一起來(lái)看一看它的典型應(yīng)用吧。1.方波產(chǎn)生電路 2 . 震蕩器實(shí)踐電路 3.GIC PROBE WITH PULSE 邏輯脈
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測(cè)試電路
電源其他電源電路
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示,被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè):BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí),三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此時(shí)S1
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晶體管
測(cè)試電路
三極管
單結(jié)晶體管
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示,被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè):BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí),三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此時(shí)S1
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晶體管
測(cè)試電路
三極管
單結(jié)晶體管
圖l所示的虛線(xiàn)框中為接口電路,通過(guò)對(duì)真值表進(jìn)行分析,其發(fā)送和接收過(guò)程為:當(dāng)發(fā)送端DI=O時(shí),DE/RE=1發(fā)送O電平,接收端RO=O;當(dāng)發(fā)送端DI=1時(shí),DE/RE=0,VA=VB=2.5V,接收端由
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rs-485
接口電路
測(cè)試電路
電路設(shè)計(jì)
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示,被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè):BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí),三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此
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晶體管
測(cè)試電路
三極管
單結(jié)晶體管
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示,被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè):BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí),三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此
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晶體管
測(cè)試電路
三極管
單結(jié)晶體管
十進(jìn)制計(jì)數(shù)器CD4518的邏輯功能抽象,不易掌握,為此設(shè)計(jì)了CD4518邏輯功能的測(cè)試電路。通過(guò)電路的裝配與測(cè)試,推導(dǎo)出CD4518的邏輯功能。
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測(cè)試電路
CD4518
BSP
時(shí)鐘
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示,被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè):BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí),三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此時(shí)S1
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晶體管
測(cè)試電路
三極管
單結(jié)晶體管
本文介紹的是一款單節(jié)晶體管性能測(cè)試電路圖。如下圖所示,被測(cè)單結(jié)晶體管VBT(設(shè):BT33)與R3、C2組成張弛振蕩器。VBT在導(dǎo)通時(shí),三極管VT1通過(guò)偏置電阻R2獲得偏置電流(此時(shí)S1
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晶體管
測(cè)試電路
三極管
單結(jié)晶體管
本文簡(jiǎn)介了E類(lèi)功率放大器的原理,針對(duì)一款手機(jī)專(zhuān)用高頻E類(lèi)功率放大器設(shè)計(jì)了性能檢測(cè)電路,并介紹了測(cè)試所用的設(shè)備,最后對(duì)測(cè)試的結(jié)果進(jìn)行了分析,從而有效判定功率放大器是否合格。
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功率放大器
BSP
GSM
測(cè)試電路