;;; 圖10.16是采用P溝MOSFET和N溝MOSFET的源極XC9572-15PC44C接地開關(guān)電路構(gòu)成的H電橋。如果Tri和Tr3采用P溝MOSFET，驅(qū)動電壓沒右必要像圖10.7那樣高于電源電壓，電路就變得非常簡單。但是N溝FET與P溝FET為器件導(dǎo)通所要求的驅(qū)動電壓的極性是相反的(N溝器件柵極電位為H時導(dǎo)通，P溝器件為L時導(dǎo)通)，所以圖10.16的電路與圖10.7的電路中驅(qū)動電路的構(gòu)成不同。
;;; 表10.3示出圖10.16電路在各模式中MOSFET的柵極電位。為了確定Tri和Tr3的柵極驅(qū)動電壓，必須進行NAND運算（圖10.7的電路中是進行NOR運算）。
;;; 圖10.16的電路中，是將2個內(nèi)藏電阻晶體管縱向排列連接起來（一方的發(fā)射極與另一方的集電極連接）進行NAND運算的。這樣的話，只有兩個晶體管都導(dǎo)通（兩個的輸入都是H電平）時輸出才為L電平，所以就是NAND運算。;;;;;;;;;;;;;;; ;; ;;;;P溝MOSFET的選擇方法與圖10.7電路N溝MOSFET的情況完全相同。圖10.16的電路中選用VDSS一-100V，工D的絕對最大額定值為2A的2SJ128(NEC)。