在近日于美國舉行的快閃記憶體高峰會(Flash Memory Summit)上，一位業(yè)界高層對NAND市場做出了大膽的預測。在專題演說中，SanDisk創(chuàng)辦人暨總裁、執(zhí)行長Eli Harari警告，NAND產業(yè)正處于“十字路口”，主要是因為市場產能供應與需求之間存在“隔閡”。

以下是Harari對NAND快閃記憶體市場的8個預言：

1. 產業(yè)已經開始復蘇。在經歷衰退之后，NAND正朝向復蘇之路，目前的市場供需平衡處于較佳的狀態(tài)。

2. NAND平均價格(ASP)并沒有像過去下跌得那么快。預計在2010~2013年之間，NAND價格的年衰退幅度在40%左右;而該數(shù)字在2005年~2009年之間大約是60%。

3. 多位元(multi-bit)技術持續(xù)當?shù)?。?009年~2015年之間，x3 (3-bit-per-cell)與x4 (4-bit-per-cell)技術將會取代目前的2-bit-per-cell主流技術。

4. 受管理型(Managed) NAND將成市場主角?？刂破骶瑢⒊蔀镹AND市場關鍵，以支援NAND包括固態(tài)硬碟(SSD)在內的不同應用;未來市場焦點將會由未加工(raw) NAND──或者說是離散式零件──轉向受管理型NAND。

5. NAND仍將稱霸通用記憶體技術。在NAND之外尚未誕生可行的通用記憶體技術，包括FRAM、MRAM與相變化(phase-change)記憶體等等，都還上不了臺面。

6. 3D技術可望冒出頭。3D讀寫(3-D read/write)有可能從通用記憶體技術競爭中嶄露頭角;SanDisk與Toshiba正在研發(fā)可能取代NAND的3D技術。不過盡管材料上能取得突破，向3D記憶體技術的轉移還需要數(shù)年時間。

7. 18吋晶圓技術是未知數(shù)。NAND廠應該不會從12吋晶圓轉向18吋晶圓，所需的資本支出成本實在太高。

8. 超紫外光(EUV)技術瀕臨危機。目前的先進NAND制程是采用193納米浸潤式光刻(immersion lithography);而NAND供應商們將會發(fā)現(xiàn)要轉向EUV是件困難的工作。