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RF功率技術(shù)的手機(jī)市場的領(lǐng)先供應(yīng)商,飛思卡爾半導(dǎo)體公司,今天公布其首個射頻功率放大器等產(chǎn)品使用的氮化鎵(GaN)技術(shù)構(gòu)建的。該公司的射頻功率GaN產(chǎn)品將首先針對蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施市場,與未來潛在的應(yīng)用包括航空電子設(shè)備,雷達(dá),ISM和軟件定義無線電。

“飛思卡爾的氮化鎵射頻功率解決方案強(qiáng)調(diào)我們的技術(shù)無關(guān)的方法,”
飛思卡爾的第一氮化鎵產(chǎn)品,AFG25HW355S的設(shè)備,是業(yè)界最全面的功率放大器解決方案組合的最新射頻功率市場。目前飛思卡爾的RF功率產(chǎn)品包括12V,28V和50V硅LDMOS產(chǎn)品,砷化鎵HBT的5V,5V和12V的GaAs pHEMT的解決方案,和高頻SiGe技術(shù)具有操作高達(dá)100 GHz和超越。

“飛思卡爾的RF部副總裁和總經(jīng)理Ritu Favre表示,”飛思卡爾的氮化鎵射頻功率解決方案的射頻功率市場,強(qiáng)調(diào)我們的技術(shù)無關(guān)的方法?!肮ぷ髋c發(fā)展氮化鎵2000年代中期以來,我們已經(jīng)建立了一個成本效益,性能和可靠性的完美結(jié)合,現(xiàn)在是時候添加氮化鎵為基礎(chǔ)的產(chǎn)品,我們浩如煙海的射頻功率放大器解決方案?!?/P>

AFG25HW355S是1 350W,高性能的包(HIP),2:1不對稱的設(shè)備具有以下特點(diǎn)和性能指標(biāo):

2.3吉赫,2.7吉赫56 dBm峰值功率50%的效率16 dB的增益NI-780封裝

功率放大器采用GaN技術(shù)的優(yōu)勢,包括產(chǎn)品體積更小的形式因素,低寄生損耗,提高功率密度和更高頻率的操作。潛在的氮化鎵蜂窩應(yīng)用包括準(zhǔn)線性,高效率(多爾蒂),高功率脈沖(非直線)應(yīng)用,寬帶功率放大器和開關(guān)模式放大器配置。

可用性
的AFG25HW355S也將很快面市選擇客戶提供完整的資格,并計劃在2013年第二季度批量出貨,樣品數(shù)量。有關(guān)詳細(xì)信息,請聯(lián)系您當(dāng)?shù)氐娘w思卡爾銷售代表。

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