該模組采用了將功率半導(dǎo)體元件內(nèi)建于碳化硅的結(jié)構(gòu)，將額定電流提高至，如此一來(lái)，應(yīng)用范圍更廣，還能有效協(xié)助各種裝置達(dá)到低功耗及小型化。產(chǎn)品制造地點(diǎn)為總公司工廠(位于日本京都市)，目前已經(jīng)開(kāi)始樣品出貨，并預(yù)定自12月開(kāi)始正式量產(chǎn)及出貨。

于2012年3月正式投入「全碳化硅功率模組」(額定規(guī)格1200V/)的量產(chǎn)，此一產(chǎn)品完全使用碳化硅作為功率半導(dǎo)體的元件結(jié)構(gòu)，雖然目前還在工業(yè)裝置應(yīng)用領(lǐng)域推廣中，但市場(chǎng)上極度期盼此類(lèi)產(chǎn)品既能夠維持小體積同時(shí)又能產(chǎn)生大電流，因此本產(chǎn)品的研發(fā)備受期待。要產(chǎn)生大電流，通常會(huì)采取增加的配置數(shù)量等方式，此外，還必須在裝置上加裝二極體等整流元件，因此要維持小型體積十分困難。

為解決本體(Body )的通電劣化問(wèn)題，採(cǎi)用了第2代的碳化硅，成功地研發(fā)出不需以作為整流元件的碳化硅功率模組(碳化硅MOSFET模組)，藉由增加碳化硅MOSFET的配置面積，讓模組的體積維持不變，并同時(shí)達(dá)成大電流的目標(biāo)。

內(nèi)建碳化硅MOSFET可改善結(jié)晶缺陷相關(guān)的制造與元件結(jié)構(gòu)，因此能成功地克服本體(Body )等元件在可靠性上的問(wèn)題。相較于一般轉(zhuǎn)換器所使用的硅質(zhì)，可減少損耗達(dá)50%以上，除了降低損耗外，還能達(dá)到50kHz以上的高頻，也能使用較小型的周邊零件。

該款MOSFET單體仍維持切換特性，同時(shí)創(chuàng)造出無(wú)尾電流、低功耗之切換品質(zhì)，即使不使用，仍能達(dá)到和傳統(tǒng)產(chǎn)品同級(jí)的切換特性，而且不會(huì)產(chǎn)生在硅質(zhì)上所常見(jiàn)的尾電流，因此可成功降低損耗達(dá)50%以上，有效為裝置的節(jié)能化帶來(lái)助益。此外，高達(dá)50kHz以上的切換頻率，也是硅質(zhì)所無(wú)法達(dá)成的，因此就連周邊裝置也能一舉實(shí)現(xiàn)小型化與輕量化的目標(biāo)。

ROHM表示，一般來(lái)說(shuō)，硅質(zhì)IGBT元件無(wú)法被逆向?qū)?，而碳化硅MOSFET因?yàn)槭潜倔w二極管，因此隨時(shí)可逆向?qū)?。此外，加入閘極訊號(hào)后，即可讓MOSFET進(jìn)行逆向?qū)?，相較于只使用二極體的方式，更能夠達(dá)到低電阻目標(biāo)。利用此種逆向?qū)ㄌ匦运苌鰜?lái)的高效率同步整流技術(shù)，讓產(chǎn)品即使在1000V以上的電壓時(shí)，也能創(chuàng)造出高于二極管整流方式之絕佳效率。

本體二極管具有通電時(shí)會(huì)使缺陷擴(kuò)大的特性，因此ROHM由製程及元件結(jié)構(gòu)兩方面著手，成功地解決發(fā)生缺陷的塬因。一般產(chǎn)品只要超過(guò)20小時(shí)，導(dǎo)通(ON)電阻就會(huì)大幅增加，不過(guò)，本產(chǎn)品即使通電時(shí)間超過(guò)1000小時(shí)，導(dǎo)通(ON)電阻也不會(huì)增加。