如圖1所示，電子電能表的基本架構(gòu)包括下列各主要功能模塊：電壓電流取樣電路；16位以上分辨率的ADC；計(jì)量與控制單元；通信接口；操作界面；顯示器；存儲(chǔ)器。本文將以存儲(chǔ)器為重點(diǎn)說(shuō)明為何電子式電能表需要使用鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)。

　　鐵電存儲(chǔ)器的技術(shù)特點(diǎn)

　　首先要說(shuō)明的是

圖1、電子電能表的基本電路方塊圖。

圖3、鐵電存儲(chǔ)器結(jié)晶單元。

圖2、浮動(dòng)?xùn)糯鎯?chǔ)單元

　　特別是當(dāng)移去電場(chǎng)后，中心原子處于低能量狀態(tài)保持不動(dòng)，存儲(chǔ)器的狀態(tài)也得以保存不會(huì)消失，因此可利用鐵電疇在電場(chǎng)下反轉(zhuǎn)形成高極化電荷，或無(wú)反轉(zhuǎn)形成低極化電荷來(lái)判別存儲(chǔ)單元是在 ”1”或 “0” 狀態(tài)。鐵電疇的反轉(zhuǎn)不需要高電場(chǎng)，僅用一般的工作電壓就可以改變存儲(chǔ)單元是在 ”1”或 “0” 的狀態(tài)；也不需要電荷泵來(lái)產(chǎn)生高電壓數(shù)據(jù)擦除，因而沒(méi)有擦寫延遲的現(xiàn)象。這種特性使鐵電存儲(chǔ)器在掉電后仍能夠繼續(xù)保存數(shù)據(jù)，寫入速度快且具有無(wú)限次寫入壽命，不容易寫壞。所以，與閃存和EEPROM 等較早期的非易失性內(nèi)存技術(shù)比較，鐵電存儲(chǔ)器具有更高的寫入速度和更長(zhǎng)的讀寫壽命。