12月14日消息，韓國三星電子日前宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出超高能效的閃存芯片，該芯片的面世意味著未來的移動產(chǎn)品將變得更為輕便。

　　據(jù)english.yna.co.kr報(bào)道，該內(nèi)存屬于聚合內(nèi)存范疇，最高容量達(dá)到512MB，與此同時(shí)，在提供高容量的前提下，聚合內(nèi)存在速度方面也比之前的產(chǎn)品提高許多，最值得一提的是，聚合內(nèi)存的功耗損失比之前的產(chǎn)品低30％之多。 

　　在一份正式技術(shù)聲明中，三星表示，該聚合內(nèi)存名為OneDRAM，其中整合了電腦內(nèi)存DRAM和SRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢。據(jù)悉，新型聚合內(nèi)存將被應(yīng)用于手機(jī)等數(shù)字設(shè)備。據(jù)估算，到2011年的時(shí)候，憑借新型內(nèi)存產(chǎn)品，聚合內(nèi)存市場總價(jià)值將達(dá)到25億美元，而三星電子計(jì)劃在明年第二季度，大規(guī)模生產(chǎn)這種新技術(shù)內(nèi)存產(chǎn)品。