從今年開始，我國臺灣芯片代工企業(yè)投資大陸8英寸芯片的制程技術(shù)，將由0.25微米放寬至0.18微米。1月20日，臺灣茂德與重慶簽訂協(xié)議，雙方合作在重慶建設8英寸線。業(yè)界因此認為，伴隨著臺灣芯片技術(shù)限制的開禁，大陸芯片代工市場版圖將有可能重新劃定。

　　70納米一大步

　　從0.25微米放寬至0.18微米，在數(shù)字上來看雖然只相差70納米，但對整個產(chǎn)業(yè)來講具有積極的意義。上海集成電路行業(yè)協(xié)會理事長蔣守雷說，開放0.18微米技術(shù)是整個產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必然，也是產(chǎn)業(yè)競爭的結(jié)果。

　　半導體資深專家莫大康強調(diào)，中國大陸半導體工業(yè)己與臺灣地區(qū)半導體業(yè)緊密地結(jié)合在一起了。目前臺灣地區(qū)半導體業(yè)處于國際先進地位：IC設計業(yè)居全球第二，代工和封裝業(yè)居全球首位，集成電路總產(chǎn)值已超過韓國居全球第三。但是臺灣島內(nèi)發(fā)展半導體有先天性缺陷，阻礙其進一步成長。他認為，主要問題有以下四方面：市場小，人才短缺，電力不足，地震多。因此，向外擴展，尤其是西移大陸是必然趨勢。

　　從另一方面看，臺灣地區(qū)制程技術(shù)進一步開放，或許是大陸半導體業(yè)再次增長的強大動力。專家指出，因為盡管近年來大陸半導體業(yè)已取得長足進步，但是總體水平仍然很低，可能需要有外力來再次推動，才能更上一層樓，唯有合作才能雙贏。

　　價格戰(zhàn)不可避免？

　　8英寸芯片制程技術(shù)政策的放寬，會不會引發(fā)臺灣芯片企業(yè)新一輪投資大陸的浪潮？

　　現(xiàn)在來看，茂德是動作最快的。“解禁”宣布不久，茂德與重慶方面就合作建設8英寸線項目正式簽署了協(xié)議。茂德董事長陳民良表示，投資重慶是因為與東部人才流動頻繁相比，西部人才的穩(wěn)定性更高。同時從長遠看，重慶所處西部門戶的優(yōu)勢地位，以及當?shù)卣漠a(chǎn)業(yè)導向，均符合茂德的投資計劃要求。

　　臺積電兩年前便向臺當局申請在大陸投資0.18微米制程技術(shù)，并為此做了大量工作。目前臺積電在上海松江的8英寸線采用的是0.25微米技術(shù)，“解禁”是臺積電希望看到的。而力晶的動作則顯得有些落后。該公司發(fā)言人表示，仍在評估投資地點。武漢、蘇州、天津在所選之列，但知情人士透露落戶蘇州的可能性較大。但同時也有消息傳出，該公司董事長黃崇仁強調(diào)，公司臺灣12英寸工廠業(yè)務非常繁忙，不會為了設廠而急赴大陸。

　　面對“西移”浪潮，莫大康提醒說，不能抱有僥幸心理，如果認為0.18微米制程開放后不會打價格戰(zhàn)，那是注定要失望的。唯一的辦法就是積極面對價格競爭，增強自身的實力。蔣守雷也認為，價格戰(zhàn)不可避免，每個企業(yè)都要提升能力適應競爭，當然競爭太激烈的話，難免會有收購與整合。但據(jù)中國工程院院士許居衍稱，0.18微米技術(shù)開放得太晚了，美國90納米都開放了，因此對產(chǎn)業(yè)發(fā)展沒有什么影響，也許只對臺積電有些好處。

　　業(yè)內(nèi)人士分析認為，新的開放一定程度上會讓中芯國際緊張。據(jù)該公司2006年第三季財報，其0.18微米以上產(chǎn)品比重高達72.5%，一旦臺積電借整體優(yōu)勢使出價格手段，中芯國際遭沖擊將無可避免。但是，中芯國際有關(guān)人士表示，“技術(shù)限制”已使位于大陸的臺積電的競爭對手獲得了充分的技術(shù)追趕時間。中芯國際在過去兩年間，其生產(chǎn)工藝已從0.25微米迅速提升至0.13微米，采用更為先進的90納米工藝生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品也已于2006年第三季度開始量產(chǎn)。

　　迎戰(zhàn)90納米

　　業(yè)內(nèi)人士認為，臺企的加入，將打破大陸芯片代工業(yè)競爭格局，因為目前大陸芯片線較成熟的還是6英寸和8英寸，臺企8英寸線的大規(guī)?！拔鬟M”，可能導致重新洗牌。

　　據(jù)了解，目前我國大陸共有47條芯片生產(chǎn)線，其中12英寸2條，8英寸10條，6英寸12條，5英寸9條，4英寸14條。此外，臺灣芯片代工龍頭企業(yè)的全面西進，必將全面帶動上游材料工業(yè)的跟進。目前，芯片代工所需的設備和材料90%依靠進口。

　　不過也有專家擔心，臺灣芯片廠雖然把制程技術(shù)轉(zhuǎn)移過來，但主流產(chǎn)品并不會轉(zhuǎn)移，比如DRAM產(chǎn)品。專家稱，由于DRAM業(yè)具有投資大、技術(shù)進步快的特點，目前主流量產(chǎn)水平已達90納米，12英寸硅片的性價比已經(jīng)超過8英寸，在DRAM業(yè)中8英寸硅片已逐漸喪失競爭力，三星、東芝、美光及海力士等先進水平已達50納米至65納米。

　　當然，僅就大陸IC設計水平而言，2006年已有不少0.13微米產(chǎn)品，90納米的產(chǎn)品也已開始出現(xiàn)。不過客觀地說，主流設計工藝才剛進入0.18微米。專家指出，大陸主流設計工藝由0.25微米上升至0.18微米用了大概3年時間，按此估計，至少在2008年前，0.18微米制程還不會落伍。其實，隨著大陸技術(shù)能力的提升，明天的0.13微米甚至90納米制程也遲早會進來的，我們必須提前作好接受挑戰(zhàn)的準備。

　　產(chǎn)業(yè)觀察

　　借“進”練功

　　臺灣地區(qū)半導體業(yè)在全球處于領(lǐng)先地位，比大陸有很多優(yōu)勢。但臺灣地區(qū)發(fā)展半導體業(yè)存在著諸如市場不足、人才不夠、電力缺乏及地震不斷等弱項，產(chǎn)業(yè)“西移”肯定是一個上策，唯此才能促進臺灣地區(qū)半導體業(yè)的進一步成長。臺灣放開芯片制程技術(shù)限制無疑帶來新一輪投資“西進”，這給大陸芯片業(yè)帶來壓力和動力，需要大陸芯片業(yè)借“進”提升。

　　實際上，大陸已普遍使用0.18微米至0.13微米技術(shù)制程，并已進入90納米時代。據(jù)估計大陸芯片設計企業(yè)超過半數(shù)已經(jīng)運用0.18微米到0.13微米技術(shù)進行設計，因此，客觀上說，臺灣開放0.18微米制程，純從“技術(shù)”上講，影響不是很大。但考慮到“西移”的連鎖反應，比如配套產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)移加快等，“西移”盡管是“遲來的好消息”，但畢竟是好消息。

　　“西移”將促使大陸芯片廠進一步“練功”。業(yè)內(nèi)人士指出，芯片廠的服務能力提升是個長期經(jīng)驗積累的過程，而且服務能力的內(nèi)容很大部分來自于自有工藝技術(shù)，這正是大陸芯片廠的短板。另外，大陸設計公司量產(chǎn)經(jīng)驗普遍缺乏，更需要代工廠包括IP提供能力在內(nèi)的支持，這是大陸芯片廠的軟肋。

　　此外，從發(fā)展半導體業(yè)的三個基本要素(市場、資金及技術(shù))來看，大陸只有市場一項稍占優(yōu)勢，其余的如融資渠道、技術(shù)來源，以及高端人才資源等方面與國際先進水平都有相當大的差距，加之西方對半導體技術(shù)和設備的控制政策，所以，在中國大陸要發(fā)展高端半導體業(yè)需要更多的開放與交流。

　　同時，從另一角度看，交流也是臺灣業(yè)者的需要。正如我們上面談到的，由于大陸芯片代工廠其實已經(jīng)普遍采用0.18微米技術(shù)，因此臺灣原先的“技術(shù)限制”不僅不能對大陸本地代芯片工業(yè)企業(yè)獲取技術(shù)形成障礙，反而壓縮了臺灣廠商的發(fā)展空間，使得廠商赴大陸投資的目標難以達成，結(jié)果反而限制了自己的發(fā)展空間。因此，取消“技術(shù)限制”是兩岸芯片業(yè)雙贏的結(jié)局。