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臺積電將推40納米芯片 耗電量減少15%

時間：2008-03-22 23:39:00
關鍵字： 臺積電    電量    納米芯片    40納米   
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[導讀]臺積電將推40納米芯片 耗電量減少15%

3月25日消息，臺積電本周一披露了其第一個40納米生產(chǎn)工藝技術，并且表示將在未來三個月內(nèi)用這種技術生產(chǎn)出第一批晶圓。 

40納米技術是芯片廠商對以前的45納米工藝技術進行微調(diào)的結(jié)果。這個工藝把浸沒式光刻技術和極低功率的材料結(jié)合在了一起。臺積電稱，這種工藝將生產(chǎn)出目前市場上尺寸最小的SRAM芯片單元，芯片尺寸可縮小到0.242平方微米。臺積電稱，通過從45納米向40納米的過渡，電源消耗將減少15%。此外，新的40納米節(jié)點顯然能夠讓LP芯片和G芯片提供比65納米工藝高2.35倍的芯片閘密度。 

臺積電表示，新的低功率40LP芯片將用于敏感型應用，如便攜式設備和無線設備。40G芯片將用于處理器、圖形處理器、游戲機、網(wǎng)絡和FPGA設計以及大量的其它消費電子產(chǎn)品中。 

40G芯片和LP芯片將在臺積電的12英寸晶圓工廠生產(chǎn)。 

來源：賽迪網(wǎng)

作者：fengfeng

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