在眾多應(yīng)用領(lǐng)域，對(duì)更低功耗的要求日益增加，多種因素推動(dòng)了這一趨勢(shì)的發(fā)展：新的國(guó)家和國(guó)際的低功耗標(biāo)準(zhǔn)推出、電池供電產(chǎn)品的需求增長(zhǎng)、綠色能源技術(shù)的發(fā)展，或僅僅是善待環(huán)境意識(shí)的增加。同時(shí)全球32位MCU呈現(xiàn)快速增長(zhǎng)的勢(shì)態(tài)，尤其基于ARM Cortex－M3內(nèi)核的MCU更是高速增長(zhǎng)，復(fù)合年平均增長(zhǎng)率達(dá)到140%。因此作為MCU供應(yīng)商，意法半導(dǎo)體（ST）為更好的滿足低功耗市場(chǎng)需求，對(duì)其EnergyLite產(chǎn)品進(jìn)行擴(kuò)充，增強(qiáng)了STM32平臺(tái)，推出基于ARM Cortex™-M3的STM32L超低功耗微控制器。STM32L針對(duì)環(huán)保型設(shè)計(jì)目標(biāo)，使設(shè)計(jì)人員能夠優(yōu)化終端產(chǎn)品的性能、功能和電池使用壽命，達(dá)到相關(guān)的能效標(biāo)準(zhǔn)。

EnergyLite超低功耗技術(shù)平臺(tái)

EnergyLite平臺(tái)是STM32L實(shí)現(xiàn)高能效性能的關(guān)鍵，該技術(shù)平臺(tái)也被廣泛用于STM8L系列產(chǎn)品。EnergyLite超低功耗技術(shù)平臺(tái)基于ST獨(dú)有的130nm制造工藝，為實(shí)現(xiàn)超低的泄漏電流特性，ST對(duì)該平臺(tái)進(jìn)行了深度優(yōu)化。在工作和睡眠模式下，EnergyLite平臺(tái)可以最大限度提升能效。此外，該平臺(tái)的內(nèi)嵌閃存采用ST獨(dú)有的低功耗閃存技術(shù)。該平臺(tái)還集成了直接訪存（DMA）支持功能，在應(yīng)用系統(tǒng)運(yùn)行過(guò)程中關(guān)閉閃存和CPU，外設(shè)仍然保持工作狀態(tài)，從而可為開(kāi)發(fā)人員節(jié)省大量的時(shí)間。

EnergyLite平臺(tái)產(chǎn)品特性和優(yōu)勢(shì)


EnergyLite平臺(tái)產(chǎn)品線之間共享通用的技術(shù)架構(gòu)和外設(shè)，因此盡管STM32L和STM8L這兩款產(chǎn)品的核架構(gòu)不同，但客戶仍能夠在8位和32位之間根據(jù)自己的需要進(jìn)行切換。下圖顯示了STM32L和STM8L共有的功能特性以及STM32L特有的性能。

既然是超低功耗產(chǎn)品，STM32L的功耗到底能達(dá)到多低的程度，下圖展示了STM32L系列在六個(gè)超低功耗工作模式下的功耗數(shù)據(jù)，讓我們直觀的了解到STM32L為何稱之為超低功耗產(chǎn)品。在這六種工作模式下，工程師可以根據(jù)應(yīng)用的不同，更靈活的實(shí)現(xiàn)超低功耗的性能。

STM32L系列不僅僅實(shí)現(xiàn)了超低功耗，更是對(duì)能源的有效利用，這又是什么概念呢？ “跟市場(chǎng)上同類(lèi)產(chǎn)品對(duì)比，下面的圖表是做同樣一件事情產(chǎn)品所消耗的能量。盡管運(yùn)行模式下，STM32L的瞬時(shí)功耗有可能較高，但運(yùn)行時(shí)間較短，因此能量的總消耗量更低些。大部分時(shí)間STM32L屬于休眠狀態(tài)，然后再回到低功耗的模式，從而說(shuō)我們有效的利用了能源?！?意法半導(dǎo)體單片機(jī)部市場(chǎng)經(jīng)理張軍輝對(duì)此表示，“實(shí)際上處理器功耗比較并不僅限于內(nèi)核的功耗，還有外圍設(shè)備，在哪種電壓、頻率下工作，以及處理速度等都需要綜合考慮，不能以極端的例子來(lái)說(shuō)明整體能量的消耗?！?br />

ST對(duì)超低功耗的承諾是全方位的，STM32L豐富了STM32產(chǎn)品的平臺(tái)。 ST表示還將不斷開(kāi)發(fā)未來(lái)的技術(shù)和新產(chǎn)品，擴(kuò)充現(xiàn)有低功耗微控制器的品種，提供更先進(jìn)的節(jié)能產(chǎn)品。