臺積電(TSMC)于2008年10月20日在橫浜舉行的技術研討會“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有關曝光技術的發(fā)展藍圖。
該公司首先公布了未來的發(fā)展方針,表示繼已量產的40nm工藝之后,預定2010年初開始量產的28nm工藝仍將采用193nm波長的液浸ArF曝光技術。而在接下來的22nm工藝中,將討論使用以下三個候選方案。(1)193nm波長的液浸ArF曝光技術,(2)EUV曝光技術(NA 0.25),(3)電子束直描技術。
不過,到15nm工藝時,將無法使用193nm波長的液浸ArF曝光技術。TSMC表示,15nm工藝將考慮選用電子束直描或EUV曝光技術(NA 0.35)。
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