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[導讀]英飛凌(Infineon)日前推出IGBT(絕緣柵雙極晶體管)MIPAQ base模塊。該模塊為IGBT三相逆變橋,內(nèi)部集成電流取樣電阻,適用55kW的工業(yè)驅(qū)動和伺服裝置,滿足低雜散電感的系統(tǒng)設計要求。此次推出的MIPAQ系列包括三大產(chǎn)

英飛凌(Infineon)日前推出IGBT(絕緣柵雙極晶體管)MIPAQ base模塊。該模塊為IGBT三相逆變橋,內(nèi)部集成電流取樣電阻,適用55kW的工業(yè)驅(qū)動和伺服裝置,滿足低雜散電感的系統(tǒng)設計要求。此次推出的MIPAQ系列包括三大產(chǎn)品:MIPAQ base模塊(已開始量產(chǎn));MIPAQ sense模塊(集成全數(shù)字化電流測量功能,提供電流隔離輸出信號);MIPAQ serve模塊(集成驅(qū)動/溫度檢測元件)。其中,MIPAQ base已開始批量生產(chǎn),MIPAQ sense和MIPAQ serve模塊已開始提供樣品,英飛凌將于2009年第三季度批量生產(chǎn)。

高度為17mm的MIPAQ base模塊以高性價比,實現(xiàn)高效、緊湊、耐用的變頻器設計。MIPAQ base模塊集成了三個專門設計用于測量輸出電流的取樣電阻,使相關(guān)設計可在節(jié)省空間和消除PCB熱點方面顯著受益。英飛凌工業(yè)及多元化電子市場部高級經(jīng)理馬國偉表示,由于外部電流傳感器成本高且占用空間大,這些集成取樣電阻可處理以前由外部電流傳感器執(zhí)行的各項任務,因此,對變頻器PCB的影響也將明顯減少。而采用壓接式連接的MIPAQ base模塊能夠?qū)⑷与娮璁a(chǎn)生的熱量更好地分配到散熱器上。根據(jù)英飛凌的實驗結(jié)果,壓接式連接的故障率遠低于焊接式及彈簧式連接。

MiPAQ模塊采用的驅(qū)動芯片是英飛凌基于CLT(coreless transformer)的驅(qū)動芯片1ED020I12-F,應用于工業(yè)變頻器以及電動車馬達驅(qū)動。馬國偉解釋,由于光耦本身有電流傳輸比(CTR)會隨著使用時間延長而導致性能降低,相對于光耦,CLT具有傳輸速度快、傳輸延時匹配性質(zhì)好和傳輸性能不會隨著使用時間減弱特點,CLT可在很高的溫度下工作,同時又可以提供和光耦一樣的電氣安全隔離。

通過利用英飛凌溝槽柵場終止IGBT4芯片技術(shù)和EmCon二極管,采用符合RoHS標準的英飛凌EconoPACK3封裝工藝,六單元1200 V MIPAQ base模塊的標稱電流最高為150 A,模塊的最高工作結(jié)溫是+150°C,并集成了NTC進行溫度測量。馬國偉表示,提升結(jié)溫是英飛凌提升IGBT可用功率的一個手段,而且它是IGBT模塊封裝技術(shù)提升的結(jié)果。IGBT的輸出電流是受結(jié)溫限制的,關(guān)鍵是芯片的溫度限制了IGBT的功率負荷。如果能夠把結(jié)溫提升就意味著IGBT可以輸出更大的電流。

英飛凌實現(xiàn)結(jié)溫提升的方法,一是降低IGBT的飽和電壓,從而降低IGBT的損耗;二是提高模塊的焊線工藝,提升它的可靠性和功率交變能力。馬國偉表示,通過這兩個手段來提高IGBT的使用規(guī)格。對客戶來說可以獲得更大的使用功率,還可以降低損耗,也即散熱器溫度和模塊殼溫都降低了,允許模塊輸出更大的電流,同時IGBT的可靠性提升直接決定了模塊使用壽命的大大增加。

集成溫度測量和驅(qū)動元件,MIPAQ系列IGBT模塊有助于以較低的成本設計出功能強大、結(jié)構(gòu)緊湊,并且節(jié)能環(huán)保的中低功率變頻器。馬國偉表示,英飛凌的質(zhì)量控制是參照IEC60747-9標準對每個產(chǎn)品都進行百分之百的測試,即對每一個出廠的產(chǎn)品都進行如飽和電壓、門極漏電流、C和E之間的漏電流、熱阻、模塊的絕緣電壓等的測試。同時進行可靠性測試,針對模塊的設計進行如工藝循環(huán)測試、熱沖擊測試、濕度測試、震動測試等。因此,英飛凌是通過可靠性測試和質(zhì)量測試來保證模塊產(chǎn)品的質(zhì)量。

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