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爾必達將在臺灣設立DRAM開發(fā)基地 與瑞晶等合作開發(fā)4F2技術

時間：2010-01-11 11:48:38
關鍵字： DRAM    爾必達    電子    內(nèi)存   
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[導讀]爾必達內(nèi)存將在臺灣設立DRAM開發(fā)基地。計劃于2010年第一季度（1～3月）在與臺灣力晶半導體（PSC）的合資公司臺灣瑞晶電子設立個人電腦通用DRAM開發(fā)基地。這是爾必達和瑞晶于1月5日在臺灣召開的新聞發(fā)布會上發(fā)布的（瑞

爾必達內(nèi)存將在臺灣設立DRAM開發(fā)基地。計劃于2010年第一季度（1～3月）在與臺灣力晶半導體（PSC）的合資公司臺灣瑞晶電子設立個人電腦通用DRAM開發(fā)基地。這是爾必達和瑞晶于1月5日在臺灣召開的新聞發(fā)布會上發(fā)布的（瑞晶電子的新聞發(fā)布資料）。

爾必達、瑞晶及PSC的技術人員將會聚于該基地，合作開發(fā)40nm工藝、單元面積為4F2（F為設計規(guī)則）的DRAM技術?，F(xiàn)在爾必達正在量產(chǎn)的最尖端DRAM為45nm工藝產(chǎn)品，單元面積為6F2。合作開發(fā)的目的在于通過大幅改變單元結(jié)構等，在版圖設計上實現(xiàn)可謂終極的單元面積。爾必達還計劃把該基地開發(fā)的技術提供給該公司的代工廠商臺灣茂德科技和臺灣華邦電子。

以往爾必達主要在日本國內(nèi)從事DRAM開發(fā)，而將臺灣定位于生產(chǎn)基地。爾必達指出在臺灣設立開發(fā)基地的好處有“容易在開發(fā)中滿足市場存在感日益增強的臺灣客戶的需求，容易確保優(yōu)秀的技術人員，容易降低人工費”（爾必達內(nèi)存公關部）。至于將來是否打算把通用DRAM開發(fā)全部轉(zhuǎn)交給臺灣基地，該公司未明確表態(tài)。

來源：日經(jīng)BP社

作者：zhaobin

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