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通過標準CMOS工藝制造MEMS，西班牙Baolab啟動新業(yè)務

時間：2010-03-18 10:15:00

關鍵字： LAB MEMS CMOS工藝元件

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[導讀]采用LSI多層布線工藝形成MEMS的驅(qū)動部分（下）。數(shù)據(jù)由西班牙Baolab Microsystems, S.L.提供。(點擊放大) 制成的MEMS開關驅(qū)動部分。數(shù)據(jù)由西班牙Baolab Microsystems, S.L.提供。(點擊放大) 西班牙Baolab Microsyst

采用LSI多層布線工藝形成MEMS的驅(qū)動部分（下）。數(shù)據(jù)由西班牙Baolab Microsystems, S.L.提供。(點擊放大)

制成的MEMS開關驅(qū)動部分。數(shù)據(jù)由西班牙Baolab Microsystems, S.L.提供。(點擊放大)
西班牙Baolab Microsystems, S.L.將投產(chǎn)只采用標準CMOS工藝制造的MEMS元件（英文發(fā)布資料）。該元件采用在CMOS LSI上的多層布線工藝形成MEMS驅(qū)動部，基本上不用MEMS專用裝置和材料。該公司成立于2003年，生產(chǎn)基地位于西班牙巴塞羅那郊外。

Baolab表示，該公司的技術與原來采用表面微加工的MEMS相比，能夠以更快的速度和更少的工序簡便地制造出MEMS元件。采用此次的技術在單枚芯片內(nèi)制造多個不同的MEMS元件時，與采用現(xiàn)有的MEMS元件制造技術時相比，成本可降至2/3以下。制造工藝采用0.18μm CMOS工藝。

具體做法是在MEMS的結構體中采用通過CMOS LSI多層布線工藝形成的金屬，在犧牲層中采用了氧化膜。金屬和氧化膜的成膜和圖形（Patterning）采用了普通的CMOS工藝方法。該公司稱，驅(qū)動部為積層4層以上的金屬層。

驅(qū)動部分的制造工藝分為五個階段：（1）排列金屬和氧化膜后進行積層，（2）在其上面對負責封裝中空結構的硅進行成膜，（3）在封裝用硅膜中形成小孔，（4）通過這個小孔利用氫氟酸（HF）氣體去除氧化膜，（5）在封裝用硅膜上再次形成封裝膜后堵上小孔。該公司表示，基于氫氟酸氣體的犧牲層蝕刻時間不到一個小時。

采用這種方法時可利用普通的多層布線工藝，因此可輕松集成MEMS和LSI。該公司正致力于將此次工藝的目標——RF開關、電子羅盤用元件以及加速度傳感器等集成到一枚芯片上的技術。目前已完成了試制，2010年內(nèi)開始樣品供貨。

此次的方法與美國Akustica的硅麥克風（參閱本站報道）制造工藝的一部分類似。Akustica的麥克風在聲壓傳感器中采用了對金屬布線層和絕緣層進行蝕刻后形成的結構。Akustica在制造麥克風時，進一步深挖硅晶圓后形成了空洞。（記者：加藤伸一）

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