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全硅CMOS振蕩器取得革命性進(jìn)展或取代石英振蕩器

時(shí)間：2010-11-10 10:37:28

關(guān)鍵字：振蕩器 CMOS 石英 IDT

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[導(dǎo)讀]今年年初，IDT耗資7億美元完成收購(gòu)全硅振蕩器供貨商Mobius Microsystem，取得該公司模擬和混合信號(hào)頻率核心技術(shù)。IDT期望以兩家公司的結(jié)合來(lái)擴(kuò)展其在計(jì)時(shí)產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。現(xiàn)如今，IDT帶來(lái)革命性的計(jì)時(shí)產(chǎn)品&mdash

今年年初，IDT耗資7億美元完成收購(gòu)全硅振蕩器供貨商Mobius Microsystem，取得該公司模擬和混合信號(hào)頻率核心技術(shù)。IDT期望以兩家公司的結(jié)合來(lái)擴(kuò)展其在計(jì)時(shí)產(chǎn)品領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。現(xiàn)如今，IDT帶來(lái)革命性的計(jì)時(shí)產(chǎn)品——業(yè)界精度最高的全硅CMOS 振蕩器IDT3C02，在整個(gè)溫度、電壓和其他因數(shù)方面實(shí)現(xiàn)了100ppm 總頻率誤差。

IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術(shù)，可產(chǎn)生高精度的片上頻率。由于該器件不包含任何運(yùn)動(dòng)元件，無(wú)需依賴壓電或機(jī)械諧振器，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)良的耐沖擊和振動(dòng)能力。IDT3C02采用可編程架構(gòu)，支持各種配置選項(xiàng)。此外采用獨(dú)特的模擬核設(shè)計(jì)，其功耗低于 2.5mA（空載典型值）。IDT3C02 還具有 200nA（典型值）的低功耗待機(jī)模式，以及 100μs（典型值）的快速啟動(dòng)時(shí)間。IDT3C02使用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的 5×3.2mm MSL1 塑料 IC 封裝。這些功能組合使該器件非常適合功率敏感的設(shè)計(jì)，允許頻繁的開關(guān)電源以進(jìn)一步節(jié)省功耗。

IDT硅晶頻率控制事業(yè)群總經(jīng)理Michael McCorquodale博士，Mobius Microsystem公司的創(chuàng)始人，也是IDT CMOS 振蕩器技術(shù)的創(chuàng)始人，表示IDT3C02 振蕩器瞄準(zhǔn)的是取代現(xiàn)有傳統(tǒng)石英振蕩器的市場(chǎng)。Michael解釋到，全硅CMOS振蕩器具有傳統(tǒng)石英振蕩器所不及的減少結(jié)構(gòu)復(fù)雜度與體積優(yōu)勢(shì)，性能已能與石英振蕩器相抗衡。傳統(tǒng)石英共振器頻率最大僅為40MHz，而全硅晶CMOS振蕩器頻率高達(dá)100MHz以上。此外，相較于金屬與陶瓷封裝材料，CMOS振蕩器的塑料封裝，在成本上更具競(jìng)爭(zhēng)力。

當(dāng)談及CMOS 振蕩器和MEMS振蕩器的發(fā)展前景，Michael認(rèn)為這兩類振蕩器各有千秋。相比而言，MEMS振蕩器準(zhǔn)確率更高，成本結(jié)構(gòu)高，更適用于高性能應(yīng)用領(lǐng)域。CMOS 振蕩器在同MEMS振蕩器近似準(zhǔn)確率時(shí)，功耗更低，而其單片、塑料封裝等特點(diǎn)使其針對(duì)石英振蕩器市場(chǎng)上更具競(jìng)爭(zhēng)力。

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