[導(dǎo)讀]晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)與處理器核心供應(yīng)商ARM共同宣布，雙方已簽訂長期協(xié)議，將提供聯(lián)電客戶使用經(jīng)聯(lián)電28奈米HPM制程驗證的ARMArtisanPhysicalIP解決方案。聯(lián)電的28奈米HPM制程，針對廣泛的應(yīng)用產(chǎn)
晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)與處理器核心供應(yīng)商ARM共同宣布，雙方已簽訂長期協(xié)議，將提供聯(lián)電客戶使用經(jīng)聯(lián)電28奈米HPM制程驗證的ARMArtisanPhysicalIP解決方案。
聯(lián)電的28奈米HPM制程，針對廣泛的應(yīng)用產(chǎn)品，包含手提式產(chǎn)品，像是手機與無線產(chǎn)品等，以及高效能應(yīng)用產(chǎn)品，像是數(shù)位家庭與高速網(wǎng)路產(chǎn)品等。結(jié)合了兩家公司的優(yōu)勢，此次合作將會為雙方客戶帶來優(yōu)質(zhì)的技術(shù)與支援服務(wù)。
「我們很高興聯(lián)電選擇了先進的ARMArtisan實體IP來支援其28奈米HPM制程。雙方客戶將可以取得完整實體IP解決方案，尤其適用于高效能處理器的設(shè)計，例如ARMCortex-A系列。」ARM實體IP部門執(zhí)行副總裁暨總經(jīng)理SimonSegars表示。
聯(lián)電負責(zé)客戶工程與IP研發(fā)設(shè)計支援副總簡山杰表示：「此次由聯(lián)華電子贊助的研發(fā)計劃，使我們客戶能在聯(lián)電多樣化的尖端制程上，采用最完整的ARM實體IP解決方案，進而掌握關(guān)鍵市場先機，達到更快速的產(chǎn)品上市時程。」
擁有HK/MG元件架構(gòu)優(yōu)異的效能與極低漏電特性，聯(lián)電的gate-last28奈米HPM制程技術(shù)可提供多種不同的元件電壓，記憶體單元與underdrive/overdrive能力，以協(xié)助晶片設(shè)計公司開發(fā)出能兼顧高效能與更長的電池使用時間的產(chǎn)品。聯(lián)華電子的28奈米HPM制程預(yù)計于2012年中進入試產(chǎn)。
聯(lián)電的28奈米HPM制程，針對廣泛的應(yīng)用產(chǎn)品，包含手提式產(chǎn)品，像是手機與無線產(chǎn)品等，以及高效能應(yīng)用產(chǎn)品，像是數(shù)位家庭與高速網(wǎng)路產(chǎn)品等。結(jié)合了兩家公司的優(yōu)勢，此次合作將會為雙方客戶帶來優(yōu)質(zhì)的技術(shù)與支援服務(wù)。
「我們很高興聯(lián)電選擇了先進的ARMArtisan實體IP來支援其28奈米HPM制程。雙方客戶將可以取得完整實體IP解決方案，尤其適用于高效能處理器的設(shè)計，例如ARMCortex-A系列。」ARM實體IP部門執(zhí)行副總裁暨總經(jīng)理SimonSegars表示。
聯(lián)電負責(zé)客戶工程與IP研發(fā)設(shè)計支援副總簡山杰表示：「此次由聯(lián)華電子贊助的研發(fā)計劃，使我們客戶能在聯(lián)電多樣化的尖端制程上，采用最完整的ARM實體IP解決方案，進而掌握關(guān)鍵市場先機，達到更快速的產(chǎn)品上市時程。」
擁有HK/MG元件架構(gòu)優(yōu)異的效能與極低漏電特性，聯(lián)電的gate-last28奈米HPM制程技術(shù)可提供多種不同的元件電壓，記憶體單元與underdrive/overdrive能力，以協(xié)助晶片設(shè)計公司開發(fā)出能兼顧高效能與更長的電池使用時間的產(chǎn)品。聯(lián)華電子的28奈米HPM制程預(yù)計于2012年中進入試產(chǎn)。
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