[導(dǎo)讀]目前臺系砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠多耕耘HBT(HeterojunctionBipolarTransistor)以及pHEMT(PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor)制程。砷化鎵HBT的特性在于線性度與高電流增益，具功率放大倍率佳、待機耗電流低
目前臺系砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠多耕耘HBT(HeterojunctionBipolarTransistor)以及pHEMT(PseudomorphicHighElectronMobilityTransistor)制程。砷化鎵HBT的特性在于線性度與高電流增益，具功率放大倍率佳、待機耗電流低、低相位雜訊、單電源設(shè)計、體積小等特色。而主要應(yīng)用端含蓋手機、無線網(wǎng)路、藍芽、基地臺、光纖通訊、衛(wèi)星通訊等。另外，pHEMT其優(yōu)點則包含有超高頻(高頻操作可達100GHz以上)及低雜訊等特性，低射頻雜訊、高頻率響應(yīng)、高切換速度與高功率操作，在高功率基地臺、低雜訊放大器及RFSwitch上十分重要。
化合物半導(dǎo)體在通訊應(yīng)用市場上已占其重要且難以取代的地位，目前隨著高資料量傳輸?shù)男枨蟪砷L下，未來砷化鎵元件市場成長可期?，F(xiàn)階段，臺系供應(yīng)鏈中，除宏捷科技以及穩(wěn)懋半導(dǎo)體等業(yè)者外，聯(lián)電集團的聯(lián)電新投資事業(yè)公司也成立聯(lián)穎光電加入市場。
化合物半導(dǎo)體在通訊應(yīng)用市場上已占其重要且難以取代的地位，目前隨著高資料量傳輸?shù)男枨蟪砷L下，未來砷化鎵元件市場成長可期?，F(xiàn)階段，臺系供應(yīng)鏈中，除宏捷科技以及穩(wěn)懋半導(dǎo)體等業(yè)者外，聯(lián)電集團的聯(lián)電新投資事業(yè)公司也成立聯(lián)穎光電加入市場。
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