工研院IEKITIS發(fā)布2010年第二季(10Q2)臺灣半導體產業(yè)回顧與展望報告，由于全球景氣好轉，再加上比較基期低的原因，使得第二季臺灣整體IC產業(yè)不論年成長率還是季成長率，皆有不錯的表現(xiàn)?？傆?010年第二季臺灣整體IC產業(yè)產值(含設計、制造、封裝、測試)達新臺幣4,422億元，較上季(10Q1)成長12.8%，較去年同期(09Q2)成長47.7%。

第二季全球半導體產業(yè)概況

根據(jù)世界半導體貿易統(tǒng)計組織(WSTS)的數(shù)據(jù)，10Q2全球半導體市場銷售值達748億美元，較上季(10Q1)成長7.1%，較去年同期(09Q2)成長42.6%；銷售量達1,759億顆，較上季(10Q1)成長8.7%，較去年同期(09Q2)成長38.0%；ASP為0.425美元，較上季(10Q1)衰退1.5%，較去年同期(09Q2)成長3.3%。

10Q2美國半導體市場銷售值達137億美元，較上季(10Q1)成長15.3%，較去年同期(09Q2)成長55.5%；日本半導體市場銷售值達113億美元，較上季(10Q1)成長4.6%，較去年同期(09Q2)成長25.4%；歐洲半導體市場銷售值達93億美元，較上季(10Q1)成長1.1%，較去年同期(09Q2)成長39.8%；亞洲區(qū)半導體市場銷售值達404億美元，較上季(10Q1)成長6.6%，較去年同期(09Q2)成長44.7%。

根據(jù)國際半導體設備材料產業(yè)協(xié)會(SEMI)公布最新6月的訂單出貨報告，訂單出貨比(B/BRatio)為1.19，較5月份的1.13小幅上揚，但目前已連續(xù)12個月處于1以上的水準，顯示半導體產業(yè)景氣持續(xù)維持在復蘇之水準。

北美半導體設備廠商6月份的3個月平均全球訂單預估金額為16.85億美元，較5月份最終訂單金額15.25億美元增加10.5%，比2009年同期成長379.0%，金額攀升到2006年8月以來最高水平。而在出貨表現(xiàn)部分，6月份的3個月平均出貨金額為14.21億美元，較5月13.45億美元成長5.7%，比2009年同期成長222.7%。

2010年第二季臺灣整體IC產業(yè)產值(含設計、制造、封裝、測試)達新臺幣4,422億元，較上季(10Q1)成長12.8%，較去年同期(09Q2)成長47.7%。其中設計業(yè)產值為新臺幣1,196億元，較上季(10Q1)成長7.7%，較去年同期(09Q2)成長28.3%，為半導體次產業(yè)成長最少者。

制造業(yè)為新臺幣2,176億元，較上季(10Q1)成長15.4%，較去年同期(09Q2)成長59.8%；封裝業(yè)為新臺幣725億元，較上季(10Q1)成長13.3%，較去年同期(09Q2)成長48.0%；測試業(yè)為新臺幣325億元，較上季(10Q1)成長14.0%，較去年同期(09Q2)成長54.8%。

2010年第二季臺灣IC產業(yè)產值統(tǒng)計及預估

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來源：工研院IEKITIS計劃，2010/08

第二季臺灣IC產業(yè)概況──設計業(yè)

首先觀察IC設計業(yè)，2010Q2在歐洲發(fā)生債信危機及中國大陸政府緝查山寨機等影響，造成臺灣許多以手機芯片、STB、無線網通芯片等為主的廠商營收表現(xiàn)并不理想，如聯(lián)發(fā)科、瑞昱、揚智等。但由于全球iPad、iPhone、平板計算機、電子書及低價智能型手機等熱賣，帶動臺灣觸控IC、電源管理IC、內存控制芯片等廠商出貨量的大幅成長。

2010Q2臺灣IC設計業(yè)產值達新臺幣1,196億元，較2010Q1成長7.7%，顯示2010Q2在邁入Q3暑期旺季，終端市場需求的仍穩(wěn)定成長。預估2010全年臺灣IC設計業(yè)產值將達新臺幣5,032億元，年成長30.4%。

2010Q2在臺灣IC設計業(yè)主要廠商動態(tài)方面，為聯(lián)發(fā)科將成立技術團隊，與日本最大電信營運商NTTDoCoMo合作，簽訂第四代行動通訊(4G)的長期演進技術(LTE)技術授權協(xié)議，強化4G布局。聯(lián)發(fā)科在2.5G和2.75G已擁有領先優(yōu)勢，且已持續(xù)演進至3G技術，如TD-SCDMA、WCDMA。目前在4G方面布局，除了包括WiMAX外，現(xiàn)又加入LTE。未來4G標準無論是WiMAX或LTE勝出，對聯(lián)發(fā)科而言仍是贏家。

在IC制造業(yè)的部分，2010Q2臺灣IC制造業(yè)產值達新臺幣2,176億元。其中晶圓代工的產值達到1,429億新臺幣，較2010Q1成長13.7%，而較去年同期大幅成長38.5%。

受到歐美地區(qū)及新興市場景氣持續(xù)回升的影響，晶圓代工產能持續(xù)不足，造成模擬IC、網通IC、MCU等IC缺貨的問題持續(xù)存在，12寸晶圓廠產能仍處在吃緊狀態(tài)，產能利用率處在九成以上的高水平，客戶仍排隊等待產能的供應，晶圓代工公司因應需求，陸續(xù)上調資本支出。

而以DRAM為主的IC制造業(yè)自有產品產值為747億新臺幣，較2010Q2成長18.9%，而較去年同期大幅成長126.4%，主要是去年基期較低，加上DRAM供需仍吃緊，臺灣廠商提高出貨量，在價量齊揚下，表現(xiàn)優(yōu)于預期。

代表IC制造業(yè)未來產值成長的重要領先指針──北美半導體設備的B/BRatio于2010年六月達到1.19。呈現(xiàn)連續(xù)第12個月設備訂單值大于出貨值的現(xiàn)象，顯示國際大廠持續(xù)加大產能的投資，景氣呈現(xiàn)上場的趨勢。

2010Q2在臺灣IC制造業(yè)主要廠商動態(tài)方面，為2010年臺積電資本支出將超越Intel。看好半導體后市，臺積電加碼投資，在7月29日法說會中，宣布將2010年資本支出由原訂的48億美元，調高至59億美元，超越英特爾(Intel)的52億美元，僅次于南韓三星(Samsung)，董事長張忠謀亦將2010年全球晶圓代工產業(yè)成長預估值上修至40%。

在全球Fabless產業(yè)的復蘇，以及全球IDM公司擴大半導體制造的委外代工趨勢，全球晶圓代工12寸晶圓廠產能將呈現(xiàn)吃緊的現(xiàn)象。若IDM退出半導體制造的速度過快，將使得晶圓代工產能的供給從賣方市場演變?yōu)橘I方市場。展望未來，全球半導體晶圓的投資主力將從Memory產業(yè)轉為Foundry產業(yè)。

第二季臺灣IC產業(yè)概況──封測業(yè)

在IC封測業(yè)的部分，2010Q2受惠于上游晶圓代工成長13.7%，下游封測業(yè)也同步成長。2010Q2臺灣封裝業(yè)產值為725億新臺幣，較2010Q1成長13.3%，較去年同期成長48.0%。2010Q2臺灣測試業(yè)產值為325億新臺幣，較2010Q1成長14.0%，較去年同期成長54.8%。主要在于手機芯片、繪圖芯片需求強勁和內存出貨持續(xù)暢旺，帶動整體產值的成長。另外，受到國際金價大漲影響，將金打線轉為銅打線封裝仍是后段封測廠持續(xù)關注的議題。

2010Q2在臺灣IC封測業(yè)主要廠商動態(tài)方面，為力成、聯(lián)電、Elpida合作明年試產28nm制程3DIC芯片。三大廠于6月21日針對TSV技術舉行簽約儀式，這是近年來邏輯和內存技術領域罕見的跨產業(yè)大合作，三大廠將針對28nm的先進制程提升3DIC的整合技術，運用Elpida的DRAM技術和聯(lián)電的先進邏輯技術，搭配力成的封裝技術，共同開發(fā)LogicIC和DRAM的3DIC異質整合完整解決方案。[!--empirenews.page--]

在電子產品高效能、高整合度、低功耗等組件規(guī)格趨勢之下，半導體廠商不再只是遵循著摩爾定律發(fā)展，3DIC已成未來先進封裝必走之路，未來LogicIC會和MobileDRAM整合，手機將為最大應用市場。

LogicIC如繪圖芯片也可和DRAM進行整合，達到高速、高效能的要求，未來應用領域將會十分寬廣。力成、聯(lián)電、Elpida看到3DIC最大塊的市場，已積極布局一起合作希望率先搶奪LogicIC和Memory堆棧市場。

重大事件分析：鈺創(chuàng)、茂德合作進軍SDRAM，臺DRAM廠布局非標準型產品

茂德與利基型內存廠鈺創(chuàng)進行結盟，將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256MbDDR2產品，采用72nm制程，這是茂德跨入消費性電子市場首部曲，鈺創(chuàng)也亦在SDRAM產能吃緊情況下獲得產能供給。茂德也采用爾必達63nm制程布局MobileRAM市場，從128Mb產品切入，預計2011年第2季量產，專攻低階手機市場。

除茂德意識到多角化趨避風險，南亞科也同時布局MobileRAM市場，將從Low-PowerDDR/DDR2市場切入，希望能大幅降低PC相關產品比重，預計2010年第三季進入試產。

金融風暴后，臺灣DRAM廠展開多角化產品線策略分散僅專注標準型DRAM產品的風險，自2010年開始，陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標準型DRAM產品領域，包括SDRAM、MobileRAM、NANDFlash、繪圖卡內存(GDDR)等。

如日本DRAM大廠爾必達(Elpida)在2010年即開始轉型，將多數(shù)標準型DRAM生產都釋放給臺廠，而Elpida在廣島廠的產能被MobileRAM產品擠到滿載，Elpida已投入至消費性電子相關產品。美光(Micron)方面也已將標準型DRAM重心交由華亞科，而自己把心力放在NANDFlash和NORFlash的布局，其產品線多角化布局會越來越明顯。

重大事件分析：GlobalFoundries大擴產將對聯(lián)電形成強大競爭壓力

GlobalFoundries于6月1日首度在臺灣舉行記者會，宣布全球產能擴充計劃。GlobalFoundries表示，2010年全球晶圓產業(yè)已展現(xiàn)復蘇趨勢，該公司自2009年收購新加坡特許半導體后，12寸晶圓產能已經超越全球晶圓代工第二大廠聯(lián)電，目前首要工作是整合其德國、新加坡與美國晶圓廠，暫無任何入股其它晶圓廠的計劃。

GlobalFoundries表示，2010年該公司資本支出預計將達27億~28億美元，2011年則約為15億美元。預期2014年可望年產160萬片12寸晶圓。Globalfoundries與新加坡的Chartered均是CommonPlatform成員，兩家公司合并后有助于聯(lián)盟內制造產能的整合，爭取IDM廠商的委外代工訂單。

而合并后的Globalfoundries則透過大股東ATIC資金的強力支持，大舉擴張12寸晶圓廠產能，在ATIC資金及IBMCommonPlatform技術的之優(yōu)勢之下，已對臺灣的聯(lián)電形成強大的競爭。未來全球專業(yè)晶圓代工市場占有率第二大及第三大之爭將日趨激烈。|

重大事件分析：韓國海力士與大陸太極實業(yè)合資成立內存封測廠海太半導體

海太半導體由無錫市太極實業(yè)和韓國海力士合資成立，總投資達3.5億美元，以半導體產品的探針測試、封裝為主攻方向。規(guī)劃以1GDRAM為主，產量7,500萬顆/月的封裝測試能力，年銷售額3億美元，是大陸技術最領先的集成電路后段封測專業(yè)公司。無錫集成電路產業(yè)已形成包括芯片設計、晶圓制造、封裝測試、硅單晶材料和外延片、掩膜等在內的完整產業(yè)鏈。

繼日本IDM大廠東芝與大陸南通富士通合資成立封測廠“無錫通芝公司”之后，現(xiàn)大陸太極實業(yè)又與海力士合資成立內存封測廠海太半導體。大陸透過與國際大廠合資，積極導入先進技術，顯示出發(fā)展高階封測技術企圖心。

海力士與ST在大陸無錫已有一座12寸內存晶圓廠，月產能4萬片，制程技術90~45nm。海太半導體的成立，將可建立海力士在中國境內一條龍生產方式，節(jié)省生產、物流費用，進一步提高成本優(yōu)勢。若大陸透過與國際大廠合作而取得先進技術，進而帶動當?shù)胤鉁y業(yè)的技術升級與轉型，未來對臺灣封測業(yè)的全球競爭力將造成威脅。

2009年下半年時，全球半導體產業(yè)受到各國政府經濟振興方案的影響，使得全球半導體銷售較2009年上半年呈現(xiàn)大幅度成長。而2010年上半年時，在全球景氣的復蘇腳步優(yōu)于預期，再加上產能不足下，亦使得今年上半年的銷售成績呈現(xiàn)亮眼的表現(xiàn)。因此預估第三季的年成長率與季成長率，將會受到比較基期高的影響，而使得成長力道減弱。

雖然產業(yè)成長力道將出現(xiàn)放緩，但晶圓代工與封測產能供不應求之情況，仍將持續(xù)，這可從半導體廠商紛紛宣布資本支出大幅增加獲得證實。

臺灣晶圓代工與IC封測大廠2009年與2010年資本支出

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來源：各公司法說資料、ICInsights、工研院IEKITIS計劃，2010/08

展望第三季，IC設計業(yè)部分，預估2010Q3臺灣IC設計業(yè)產值達1,375億新臺幣，較2010Q2成長15.0%。由于臺灣IC設計業(yè)已逐漸步入穩(wěn)定成長的循環(huán)軌跡，第三、四季仍將是傳統(tǒng)旺季，預期未來在PC、NB、LCDTV、手機等需求帶動下，2010年產值達新臺幣5,032億元，年成長將達30.4%，遠超過2009年2.9%。

在IC制造業(yè)部分，預估2010Q3臺灣IC制造業(yè)產值達2,290億新臺幣，較2010Q2成長5.2%。由于2010年上半年的基期已高，加上去年第三季起陸續(xù)回升到金融風暴前的產值水準，將使得2010年下半年臺灣IC制造業(yè)的季成本及年成長都將呈現(xiàn)趨勢的走勢。第三、四季仍將會是傳統(tǒng)旺季，預期未來在終端3C產品的需求帶動下，2010年產值達新臺幣8,698億元，年成長將達50.8%。

最后，在IC封測業(yè)部分，預估2010Q3封測業(yè)進入傳統(tǒng)旺季，但上半年基期已墊高，封裝及測試業(yè)營收分別較2010Q2成長5.0%及6.2%。預估2010年封裝及測試業(yè)產值分別達新臺幣2,896億和1,306億元，年成長為45.1%和49.1%。