[導讀]根據調研機構IHSiSuppli,今年應用在智能型手機上的DRAM芯片出貨量將有驚人的3位數成長,超過整體DRAM市場的成長幅度。以1GB等量單位估算,用在智能型手機的DRAM出貨量今年預計上升至17億個單位,較去年6.72億個單位
根據調研機構IHSiSuppli,今年應用在智能型手機上的DRAM芯片出貨量將有驚人的3位數成長,超過整體DRAM市場的成長幅度。
以1GB等量單位估算,用在智能型手機的DRAM出貨量今年預計上升至17億個單位,較去年6.72億個單位成長157.2%。到2015年之前,出貨量將上升至139億個單位,較今年成長700%。
IHS記憶芯片需求預測部門的分析師CliffordLeimbach表示:「智能型手機內使用的DRAM正快速上升,系因這些是高記億密度的芯片,且設備銷售量也不斷上升所致。」
「今年DRAM在智能型手機的成長驚人,與此相較,整體DRAM市場(主要為對PC事業(yè)的銷售量)的出貨量成長僅50%就失色許多。這兩者的成長差距解釋了DRAM廠商積極競爭手機DRAM市場的原因。雖然DRAM芯片也用于平板計算機和計算機等設備,但智能型手機的DRAM市場仍會持續(xù)成長?!?BR>
整體DRAM使用量中,今年智能型手機的使用率將從去年的4.4%上升至7.6%,明年提高至10.6%,2013年達13.4%,2014年達14.9%,下一年達16.0%。
至少近來發(fā)行的4款智能型手機,經由IHSiSuppli拆解內部后,發(fā)現這些設備都搭載更大量的DRAM芯片。
SonyEricsson的XperiaPLAY搭載512MB的DRAM芯片,而三星電子的GalaxyIndulge搭載576MB的DRAM芯片,蘋果iPhone4的DRAM芯片達544MB,臺灣宏達電的Thunderbolt手機則配備最高等級768MB的DRAM芯片。
這4款智能型手機的內存配置均使用離散DRAM芯片,以及含NAND快閃記憶芯片的標準方式。其他設備的內存配置方式包括使用多芯片封裝(MCP),將DRAM和NAND等不同的內存整合成單一芯片等。
這些手機廠在優(yōu)化表現性能時,仍積極維持整體成本持平。因此這4款手機的材料費用表(BOM)中,內存費用比例平均在15.7%,唯一超過這比例的只有iPhone,iPhone的內存成本占整體BOM表高達22.1%。
但即使手機廠努力縮限內存成本,但智能型手機的DRAM平均密度仍會逐漸提升,預期明年智能型手機DRAM平均密度就會提高至715MB,較今年461MB的水平提高55%,且短期看來,成長無可限量。
以1GB等量單位估算,用在智能型手機的DRAM出貨量今年預計上升至17億個單位,較去年6.72億個單位成長157.2%。到2015年之前,出貨量將上升至139億個單位,較今年成長700%。
IHS記憶芯片需求預測部門的分析師CliffordLeimbach表示:「智能型手機內使用的DRAM正快速上升,系因這些是高記億密度的芯片,且設備銷售量也不斷上升所致。」
「今年DRAM在智能型手機的成長驚人,與此相較,整體DRAM市場(主要為對PC事業(yè)的銷售量)的出貨量成長僅50%就失色許多。這兩者的成長差距解釋了DRAM廠商積極競爭手機DRAM市場的原因。雖然DRAM芯片也用于平板計算機和計算機等設備,但智能型手機的DRAM市場仍會持續(xù)成長?!?BR>
整體DRAM使用量中,今年智能型手機的使用率將從去年的4.4%上升至7.6%,明年提高至10.6%,2013年達13.4%,2014年達14.9%,下一年達16.0%。
至少近來發(fā)行的4款智能型手機,經由IHSiSuppli拆解內部后,發(fā)現這些設備都搭載更大量的DRAM芯片。
SonyEricsson的XperiaPLAY搭載512MB的DRAM芯片,而三星電子的GalaxyIndulge搭載576MB的DRAM芯片,蘋果iPhone4的DRAM芯片達544MB,臺灣宏達電的Thunderbolt手機則配備最高等級768MB的DRAM芯片。
這4款智能型手機的內存配置均使用離散DRAM芯片,以及含NAND快閃記憶芯片的標準方式。其他設備的內存配置方式包括使用多芯片封裝(MCP),將DRAM和NAND等不同的內存整合成單一芯片等。
這些手機廠在優(yōu)化表現性能時,仍積極維持整體成本持平。因此這4款手機的材料費用表(BOM)中,內存費用比例平均在15.7%,唯一超過這比例的只有iPhone,iPhone的內存成本占整體BOM表高達22.1%。
但即使手機廠努力縮限內存成本,但智能型手機的DRAM平均密度仍會逐漸提升,預期明年智能型手機DRAM平均密度就會提高至715MB,較今年461MB的水平提高55%,且短期看來,成長無可限量。





