（全球TMT2022年10月18日訊）10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證，可在驍龍（Snapdragon?）移動(dòng)平臺(tái)上使用，該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過...

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，在高通脹影響下，消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟，旺季不旺，第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減，各終端買方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購，導(dǎo)致供應(yīng)商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí)，各DRAM供應(yīng)...

- 在驍龍（Snapdragon）移動(dòng)平臺(tái)上，三星以8.5Gbps的運(yùn)行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗(yàn)證，為LPDDR（移動(dòng)端）內(nèi)存打開了新市場。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日，三...

近日，里昂證券（CLSA）的論壇上一位分析師對(duì)CNBC表示，即使美國和中國沒有發(fā)生貿(mào)易戰(zhàn)，半導(dǎo)體行業(yè)也將很快大幅下滑。他表示，內(nèi)存芯片需求放緩，庫存水平上升以及價(jià)格下跌等因素可能導(dǎo)致該行業(yè)出現(xiàn)周期性下滑。

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會(huì)上公布了未來的3大規(guī)劃方向，其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無晶圓廠的整體解決方案。

據(jù)韓媒報(bào)道，在日前舉辦的行業(yè)活動(dòng)上，IDC韓國副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計(jì)，存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示，今年的市場需求較最初預(yù)期更為糟糕，預(yù)計(jì)來年三季度DRAM和NAN...

與其他類型的半導(dǎo)體相比，存儲(chǔ)芯片的競爭廠商數(shù)量更多，而且芯片本身的差異化程度較低，這使得存儲(chǔ)芯片更加商品化，對(duì)需求變化也就更加敏感。存儲(chǔ)芯片通常是第一個(gè)感受到需求變化并出現(xiàn)價(jià)格下跌的組件。

消費(fèi)者對(duì)智能手機(jī)的需求持續(xù)放緩之際，高通公司(Qualcomm)首席財(cái)務(wù)官Akash Palkhiwala正在考慮向該公司不斷增長的汽車芯片業(yè)務(wù)配置多少資金。該公司預(yù)計(jì)2026年汽車芯片業(yè)務(wù)收入將超過40億美元，2031...

韓國存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士今日表示，該公司成功研發(fā)出全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層512Gb TLC(Triple Level Cell)4D閃存芯片(NAND)樣品，該芯片將于明年上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)悉，SK海力士當(dāng)天...

愛思開海力士·英特爾DMTM半導(dǎo)體(大連)有限公司非易失性存儲(chǔ)器項(xiàng)目在大連金普新區(qū)舉行開工儀式。該項(xiàng)目將建設(shè)一座新的晶圓工廠，從事非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商SK海力士已在中國市場深...