[導(dǎo)讀]東芝公司宣布,即日起開始使用24nm工藝批量生產(chǎn)NAND閃存芯片,這也是該領(lǐng)域內(nèi)迄今為止最為先進(jìn)的制造技術(shù)。東芝透露,24nm工藝已被用于生產(chǎn)世界上體積最小、存儲(chǔ)密度最高的2bpc(每單元兩個(gè)比特)MLCNAND閃存芯片,單顆
東芝公司宣布,即日起開始使用24nm工藝批量生產(chǎn)NAND閃存芯片,這也是該領(lǐng)域內(nèi)迄今為止最為先進(jìn)的制造技術(shù)。
東芝透露,24nm工藝已被用于生產(chǎn)世界上體積最小、存儲(chǔ)密度最高的2bpc(每單元兩個(gè)比特)MLCNAND閃存芯片,單顆容量64Gb(8GB),今后還會(huì)使用同樣工藝制造32Gb(4GB)容量和3bpc規(guī)格的閃存芯片。
東芝表示,新工藝將進(jìn)一步減小芯片尺寸、提高生產(chǎn)效率,同時(shí)還支持ToggleDDR接口規(guī)范,有助于增強(qiáng)數(shù)據(jù)傳輸速度。
在此之前,Intel、美光合資的IMFlash已經(jīng)開始批量生產(chǎn)25nm工藝NAND閃存芯片,并試產(chǎn)了3bps規(guī)格芯片。
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