全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)
[導(dǎo)讀]全球晶圓(GlobalFoundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)，進(jìn)一步強(qiáng)化
全球晶圓(GlobalFoundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構(gòu)的芯片外，同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)，進(jìn)一步強(qiáng)化合作關(guān)系。
全球晶圓與ARM在2009年第3季宣布策略合作計(jì)畫(huà)，就是看好未來(lái)廣大的行動(dòng)運(yùn)算市場(chǎng)。而就在全球晶圓與ARM攜手后，臺(tái)積電也于2010年宣布與ARM，合作開(kāi)發(fā)28納米及20納米制程嵌入式存儲(chǔ)器及標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)在內(nèi)的實(shí)體智財(cái)產(chǎn)品。
因此，全球晶圓大動(dòng)作公布采用28納米制程產(chǎn)出首顆ARMCortex-A9芯片，亦被業(yè)界認(rèn)為宣示意味濃厚，全球晶圓進(jìn)一步指出，該芯片于德國(guó)德勒斯登Fab1進(jìn)行試產(chǎn)，預(yù)計(jì)于2010年底前進(jìn)行量產(chǎn)。
根據(jù)全球晶圓與ARM的估計(jì)，相較于40納米制程，28納米制程可望提升40%的效能、同時(shí)降低30%的功耗，并提升100%的待機(jī)電池續(xù)航力。
ARM執(zhí)行副總裁SimonSegars表示，隨著半導(dǎo)體推進(jìn)先進(jìn)制程，設(shè)計(jì)與制造端的合作將會(huì)更為緊密，透過(guò)ARM的矽智材與全球晶圓經(jīng)驗(yàn)證的量產(chǎn)能力，將會(huì)對(duì)行動(dòng)運(yùn)算領(lǐng)域帶來(lái)創(chuàng)新的平臺(tái)，并且將使客戶(hù)更快速進(jìn)入28納米HKMG的技術(shù)領(lǐng)域。
同時(shí)，全球晶圓也公布和飛思卡爾一系列基于90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)的新薄膜存儲(chǔ)器(TFS)計(jì)畫(huà)，飛思卡爾計(jì)畫(huà)將該技術(shù)應(yīng)用于新一代的的微控制器(MCU)上，可針對(duì)從消費(fèi)電子產(chǎn)品和家用電器到醫(yī)療設(shè)備和智能計(jì)量系統(tǒng)的各種應(yīng)用。
全球晶圓指出，90納米薄膜存儲(chǔ)器技術(shù)與其它傳統(tǒng)的NVM架構(gòu)不同，采用1種創(chuàng)新型矽納米晶體技術(shù)，具有位元級(jí)的可靠性、速度、功率和尺寸。
根據(jù)雙方的合作細(xì)節(jié)，飛思卡爾的TFS技術(shù)具有FlexMemory功能，可配置電可程序設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器(EEPROM)，將應(yīng)用于飛思卡爾ColdFire和Kinetis系列32位元MCU產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品將采用全球晶圓的90納米技術(shù)制造。早期測(cè)試芯片已經(jīng)在全球晶圓位于新加坡的Fab7進(jìn)行生產(chǎn)，預(yù)計(jì)技術(shù)認(rèn)證將于2011年上半年完成。
隨著摩爾定律延伸，技術(shù)層次越高，如同臺(tái)積電發(fā)展More-than-Moore技術(shù)，全球晶圓也寄望切入微機(jī)電(MEMS)、類(lèi)比技術(shù)等領(lǐng)域，拓展多樣性的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。
全球晶圓與ARM在2009年第3季宣布策略合作計(jì)畫(huà)，就是看好未來(lái)廣大的行動(dòng)運(yùn)算市場(chǎng)。而就在全球晶圓與ARM攜手后，臺(tái)積電也于2010年宣布與ARM，合作開(kāi)發(fā)28納米及20納米制程嵌入式存儲(chǔ)器及標(biāo)準(zhǔn)元件庫(kù)在內(nèi)的實(shí)體智財(cái)產(chǎn)品。
因此，全球晶圓大動(dòng)作公布采用28納米制程產(chǎn)出首顆ARMCortex-A9芯片，亦被業(yè)界認(rèn)為宣示意味濃厚，全球晶圓進(jìn)一步指出，該芯片于德國(guó)德勒斯登Fab1進(jìn)行試產(chǎn)，預(yù)計(jì)于2010年底前進(jìn)行量產(chǎn)。
根據(jù)全球晶圓與ARM的估計(jì)，相較于40納米制程，28納米制程可望提升40%的效能、同時(shí)降低30%的功耗，并提升100%的待機(jī)電池續(xù)航力。
ARM執(zhí)行副總裁SimonSegars表示，隨著半導(dǎo)體推進(jìn)先進(jìn)制程，設(shè)計(jì)與制造端的合作將會(huì)更為緊密，透過(guò)ARM的矽智材與全球晶圓經(jīng)驗(yàn)證的量產(chǎn)能力，將會(huì)對(duì)行動(dòng)運(yùn)算領(lǐng)域帶來(lái)創(chuàng)新的平臺(tái)，并且將使客戶(hù)更快速進(jìn)入28納米HKMG的技術(shù)領(lǐng)域。
同時(shí)，全球晶圓也公布和飛思卡爾一系列基于90納米快閃存儲(chǔ)器技術(shù)的新薄膜存儲(chǔ)器(TFS)計(jì)畫(huà)，飛思卡爾計(jì)畫(huà)將該技術(shù)應(yīng)用于新一代的的微控制器(MCU)上，可針對(duì)從消費(fèi)電子產(chǎn)品和家用電器到醫(yī)療設(shè)備和智能計(jì)量系統(tǒng)的各種應(yīng)用。
全球晶圓指出，90納米薄膜存儲(chǔ)器技術(shù)與其它傳統(tǒng)的NVM架構(gòu)不同，采用1種創(chuàng)新型矽納米晶體技術(shù)，具有位元級(jí)的可靠性、速度、功率和尺寸。
根據(jù)雙方的合作細(xì)節(jié)，飛思卡爾的TFS技術(shù)具有FlexMemory功能，可配置電可程序設(shè)計(jì)存儲(chǔ)器(EEPROM)，將應(yīng)用于飛思卡爾ColdFire和Kinetis系列32位元MCU產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品將采用全球晶圓的90納米技術(shù)制造。早期測(cè)試芯片已經(jīng)在全球晶圓位于新加坡的Fab7進(jìn)行生產(chǎn)，預(yù)計(jì)技術(shù)認(rèn)證將于2011年上半年完成。
隨著摩爾定律延伸，技術(shù)層次越高，如同臺(tái)積電發(fā)展More-than-Moore技術(shù)，全球晶圓也寄望切入微機(jī)電(MEMS)、類(lèi)比技術(shù)等領(lǐng)域，拓展多樣性的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。
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