延續(xù)摩爾定律商機(jī) 3D IC/先進(jìn)制程缺一不可
[導(dǎo)讀]在相關(guān)半導(dǎo)體業(yè)者共同努力下，先進(jìn)制程與立體芯片(3D IC)的商用進(jìn)展迭有突破，不僅將有助延長(zhǎng)摩爾定律為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所帶來(lái)的龐大經(jīng)濟(jì)效益，亦成為今年國(guó)際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan)上備受矚目的發(fā)展焦點(diǎn)。 日月光集團(tuán)
在相關(guān)半導(dǎo)體業(yè)者共同努力下，先進(jìn)制程與立體芯片(3D IC)的商用進(jìn)展迭有突破，不僅將有助延長(zhǎng)摩爾定律為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所帶來(lái)的龐大經(jīng)濟(jì)效益，亦成為今年國(guó)際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan)上備受矚目的發(fā)展焦點(diǎn)。 日月光集團(tuán)總經(jīng)理唐和明有信心3D IC三年內(nèi)量產(chǎn)，2.5D IC率先登場(chǎng)補(bǔ)足過(guò)度期。日月光集團(tuán)總經(jīng)理唐和明表示，使用硅基板(Silicon Interposer)的2.5D IC封裝技術(shù)供應(yīng)鏈已大致完備，最快可在2年內(nèi)大量生產(chǎn)，將以整合內(nèi)存IC和邏輯IC為主要發(fā)展方向，屆時(shí)將有助半導(dǎo)體技術(shù)順利從40奈米進(jìn)入到28奈米及其以下制程節(jié)點(diǎn)。至于3D IC則可望在3～5年內(nèi)發(fā)生。
唐和明指出，在3D IC正式亮相之前，仍須克服價(jià)格、測(cè)試、制造、供應(yīng)鏈和電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具等多重困難，加上制作門(mén)坎高，屬于高風(fēng)險(xiǎn)技術(shù)。3D IC雖可適用于市場(chǎng)上各種組件，但由于供應(yīng)鏈目前仍未勾勒出清晰的藍(lán)圖，目前市場(chǎng)發(fā)展仍以2.5D IC為優(yōu)先，以目前市場(chǎng)條件而言，2.5D IC已可導(dǎo)入可觀的應(yīng)用領(lǐng)域。
由于行動(dòng)裝置在終端市場(chǎng)炙手可熱，市場(chǎng)對(duì)于體積小、功能多的要求迫使系統(tǒng)級(jí)封裝與3D IC被視為制程微縮的替代方案。
與此同時(shí)，臺(tái)積電等半導(dǎo)體制造與設(shè)備供貨商，也不斷朝向20奈米及其以下制程世代邁進(jìn)。由于投入先進(jìn)制程需要相當(dāng)大的成本，加上20奈米制程世代中，許多舊有技術(shù)已無(wú)法支持高階制程的進(jìn)展，因而也蘊(yùn)藏著可觀的設(shè)備商機(jī)。
臺(tái)積電奈米制像技術(shù)發(fā)展處資深處長(zhǎng)林本堅(jiān)指出，在克服20奈米等先進(jìn)制程挑戰(zhàn)的過(guò)程背后，也創(chuàng)造出為數(shù)可觀的設(shè)備商機(jī)。以微影機(jī)臺(tái)為例，不論是極紫外光(EUV)或無(wú)光罩(Maskless)微影技術(shù)，均有許多新的發(fā)展契機(jī)。
唐和明強(qiáng)調(diào)，3D IC與先進(jìn)制程的發(fā)展并不會(huì)互相抵觸，反倒是相輔相成，因?yàn)樵?D IC中，將須高度仰賴先進(jìn)制程技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)尺寸的微縮，因此，兩者在延續(xù)摩爾定律的發(fā)展上同等重要。
唐和明指出，在3D IC正式亮相之前，仍須克服價(jià)格、測(cè)試、制造、供應(yīng)鏈和電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具等多重困難，加上制作門(mén)坎高，屬于高風(fēng)險(xiǎn)技術(shù)。3D IC雖可適用于市場(chǎng)上各種組件，但由于供應(yīng)鏈目前仍未勾勒出清晰的藍(lán)圖，目前市場(chǎng)發(fā)展仍以2.5D IC為優(yōu)先，以目前市場(chǎng)條件而言，2.5D IC已可導(dǎo)入可觀的應(yīng)用領(lǐng)域。
由于行動(dòng)裝置在終端市場(chǎng)炙手可熱，市場(chǎng)對(duì)于體積小、功能多的要求迫使系統(tǒng)級(jí)封裝與3D IC被視為制程微縮的替代方案。
與此同時(shí)，臺(tái)積電等半導(dǎo)體制造與設(shè)備供貨商，也不斷朝向20奈米及其以下制程世代邁進(jìn)。由于投入先進(jìn)制程需要相當(dāng)大的成本，加上20奈米制程世代中，許多舊有技術(shù)已無(wú)法支持高階制程的進(jìn)展，因而也蘊(yùn)藏著可觀的設(shè)備商機(jī)。
臺(tái)積電奈米制像技術(shù)發(fā)展處資深處長(zhǎng)林本堅(jiān)指出，在克服20奈米等先進(jìn)制程挑戰(zhàn)的過(guò)程背后，也創(chuàng)造出為數(shù)可觀的設(shè)備商機(jī)。以微影機(jī)臺(tái)為例，不論是極紫外光(EUV)或無(wú)光罩(Maskless)微影技術(shù)，均有許多新的發(fā)展契機(jī)。
唐和明強(qiáng)調(diào)，3D IC與先進(jìn)制程的發(fā)展并不會(huì)互相抵觸，反倒是相輔相成，因?yàn)樵?D IC中，將須高度仰賴先進(jìn)制程技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)尺寸的微縮，因此，兩者在延續(xù)摩爾定律的發(fā)展上同等重要。
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