由于DRAM廠新制程轉(zhuǎn)換速度加快，7月以來DRAM產(chǎn)出量明顯放大，雖然價格持續(xù)緩跌，但對后段封測廠來說，訂單仍然持續(xù)涌入，包括力成（6239）、華東（8110）、福懋科（8131）、泰林（5466）等業(yè)者均表示，訂單能見度已達年底，產(chǎn)能供不應(yīng)求情況在年底前也難獲得紓解，將有助于平均價格（ASP）持穩(wěn)，降低DRAM價格波動造成的負面影響。

雖然計算機業(yè)者出貨量維持高檔，第3季又是計算機銷售旺季，理論上DRAM價格應(yīng)有上漲空間，DRAM價格雖自4月后開始走跌，但2GB DDR2模塊仍維持40美元價格，2GB DDR3價格約達45美元，占計算機成本仍在8％至10％高檔，所以在ODM/OEM廠將計算機搭載率由4GB降至2GB情況下，導致第3季DRAM價格難有起色。

對DRAM廠來說，轉(zhuǎn)進50奈米世代先進制程后，1Gb DDR3顆粒總制造成本可降至接近1.2美元左右，若以現(xiàn)在平均2.2-2.4美元價格來計算，每賣出一顆就可賺進約1美元的獲利。所以，DRAM廠第2 季加速50奈米制程微縮，第3季產(chǎn)能開出后，雖對現(xiàn)貨價造成跌價壓力，但因產(chǎn)出量放大，反而有助于封測廠接單。

業(yè)者表示，以60奈米制程生產(chǎn)出的1Gb DDR3顆粒數(shù)約介于910-950顆，但若微縮到50奈米后，每片12吋晶圓可切割的顆粒數(shù)可達1,400-1,700顆，位成長率高達50％至 70％，所以對以量計價的封測廠來說是項利多消息。再者，50奈米投產(chǎn)初期，測試時間需要拉長，雖然隨著良率提升后，測試時間會開始下滑，但下滑時間點最快也要在今年第4季中下旬才會見到，因此封測廠現(xiàn)在正面臨產(chǎn)能不足壓力。

包括力成、華東、福懋科等業(yè)者來說，因為DRAM廠今年擴產(chǎn)積極，訂單已經(jīng)看到年底，而封測設(shè)備交期仍維持在3-4個月，下半年能夠增加的產(chǎn)能，仍追不上DRAM廠的位成長速度。業(yè)者表示，下半年DRAM封測產(chǎn)能仍供不應(yīng)求，所以封測代工價格雖無上漲空間，但也沒有下跌空間，隨著產(chǎn)能持續(xù)擴大，對提升毛利率仍有明顯幫助。