由于DRAM廠新制程轉(zhuǎn)換速度加快，7月以來DRAM產(chǎn)出量明顯放大，雖然價(jià)格持續(xù)緩跌，但對(duì)后段封測(cè)廠來說，訂單仍然持續(xù)涌入，包括力成（6239）、華東（8110）、福懋科（8131）、泰林（5466）等業(yè)者均表示，訂單能見度已達(dá)年底，產(chǎn)能供不應(yīng)求情況在年底前也難獲得紓解，將有助于平均價(jià)格（ASP）持穩(wěn)，降低DRAM價(jià)格波動(dòng)造成的負(fù)面影響。

雖然計(jì)算機(jī)業(yè)者出貨量維持高檔，第3季又是計(jì)算機(jī)銷售旺季，理論上DRAM價(jià)格應(yīng)有上漲空間，DRAM價(jià)格雖自4月后開始走跌，但2GB DDR2模塊仍維持40美元價(jià)格，2GB DDR3價(jià)格約達(dá)45美元，占計(jì)算機(jī)成本仍在8％至10％高檔，所以在ODM/OEM廠將計(jì)算機(jī)搭載率由4GB降至2GB情況下，導(dǎo)致第3季DRAM價(jià)格難有起色。

對(duì)DRAM廠來說，轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米世代先進(jìn)制程后，1Gb DDR3顆?？傊圃斐杀究山抵两咏?.2美元左右，若以現(xiàn)在平均2.2-2.4美元價(jià)格來計(jì)算，每賣出一顆就可賺進(jìn)約1美元的獲利。所以，DRAM廠第2 季加速50奈米制程微縮，第3季產(chǎn)能開出后，雖對(duì)現(xiàn)貨價(jià)造成跌價(jià)壓力，但因產(chǎn)出量放大，反而有助于封測(cè)廠接單。

業(yè)者表示，以60奈米制程生產(chǎn)出的1Gb DDR3顆粒數(shù)約介于910-950顆，但若微縮到50奈米后，每片12吋晶圓可切割的顆粒數(shù)可達(dá)1,400-1,700顆，位成長(zhǎng)率高達(dá)50％至 70％，所以對(duì)以量計(jì)價(jià)的封測(cè)廠來說是項(xiàng)利多消息。再者，50奈米投產(chǎn)初期，測(cè)試時(shí)間需要拉長(zhǎng)，雖然隨著良率提升后，測(cè)試時(shí)間會(huì)開始下滑，但下滑時(shí)間點(diǎn)最快也要在今年第4季中下旬才會(huì)見到，因此封測(cè)廠現(xiàn)在正面臨產(chǎn)能不足壓力。

包括力成、華東、福懋科等業(yè)者來說，因?yàn)镈RAM廠今年擴(kuò)產(chǎn)積極，訂單已經(jīng)看到年底，而封測(cè)設(shè)備交期仍維持在3-4個(gè)月，下半年能夠增加的產(chǎn)能，仍追不上DRAM廠的位成長(zhǎng)速度。業(yè)者表示，下半年DRAM封測(cè)產(chǎn)能仍供不應(yīng)求，所以封測(cè)代工價(jià)格雖無(wú)上漲空間，但也沒有下跌空間，隨著產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)大，對(duì)提升毛利率仍有明顯幫助。