大陸晶圓代工廠中芯國(guó)際與當(dāng)?shù)胤庋b服務(wù)供應(yīng)商江蘇長(zhǎng)電科技將成立12吋晶圓后端Bumping產(chǎn)能的合資公司，打造大陸當(dāng)?shù)氐腎C生產(chǎn)制造供應(yīng)鏈，半導(dǎo)體業(yè)者認(rèn)為，中芯已開始復(fù)制臺(tái)積電建立后端封測(cè)產(chǎn)能的模式，在行動(dòng)裝置帶動(dòng)高階制程崛起的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)中，開始奮力追趕，且是有規(guī)劃、有策略的前進(jìn)。

中芯是大陸最大的晶圓代工廠，日前正式與大陸最大的封裝廠江蘇長(zhǎng)電成立合資公司，共同建立12吋晶圓后端Bumping和配套測(cè)試，由長(zhǎng)電建立配套的后端封測(cè)生產(chǎn)線，與中芯共同打造大陸IC產(chǎn)業(yè)本土一條鞭的供應(yīng)鏈。此舉，也等于是向臺(tái)積電下戰(zhàn)帖。

江蘇長(zhǎng)電是大陸半導(dǎo)體封裝測(cè)試廠，成立于1972年，2003年公司在中國(guó)上海證券交易所A股上市，是大陸第一家上市的半導(dǎo)體封測(cè)廠，注冊(cè)資本額是8.53億人民幣，總資產(chǎn)約80億人民幣，2012年?duì)I收為7.14億美元，為全球第七大封測(cè)廠。

根據(jù)資料揭露，長(zhǎng)電科技擁有專利600多項(xiàng)，其中發(fā)明專利約占40%，并在大陸率先進(jìn)入矽穿孔(TSV)、RF-SiP、3D-RDL、銅柱凸塊(Copper Pillar Bump)、HD-FCBGA、25μm Thickness Chips Stacking、MEMS、MIS、PoP等9大IC產(chǎn)業(yè)主流技術(shù)領(lǐng)域，達(dá)到MIS、WL-CSP、SiP、銅柱凸塊、Flip-Chip等技術(shù)的規(guī)模化生產(chǎn)。

隨著行動(dòng)運(yùn)算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大，帶動(dòng)先進(jìn)制程需求大增，晶圓代工廠制程技術(shù)由65奈米轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米、28奈米制程，對(duì)于Bumping加工技術(shù)需求也同步成長(zhǎng)，Bumping也是未來3D晶圓級(jí)封裝技術(shù)的基礎(chǔ)。

中芯指出，將建立Bumping加工和就近配套的Flip-Chip等先進(jìn)封裝技術(shù)的生產(chǎn)線，再結(jié)合中芯在前段28奈米的先進(jìn)制程，將形成大陸首條完整的12吋先進(jìn)IC制造本土產(chǎn)業(yè)鏈，特點(diǎn)是縮短晶片從前段到中段、后段制程之間的運(yùn)輸周期，并控制中間環(huán)節(jié)的成本。

再者，針對(duì)行動(dòng)通訊、物聯(lián)網(wǎng)等市場(chǎng)，中芯作此布局的目的是貼近大陸內(nèi)需市場(chǎng)，可就近提供客戶服務(wù)、縮短市場(chǎng)反映的時(shí)間，同時(shí)中芯和長(zhǎng)電也會(huì)布局3D IC封裝。

中芯國(guó)際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云指出，透過與江蘇長(zhǎng)電合作建立Bumping生產(chǎn)線和后段封裝環(huán)節(jié)，合資公司將提供客戶one-stop shopping服務(wù)，也可進(jìn)一步提供高附加價(jià)值產(chǎn)品，目標(biāo)是完整IC制造產(chǎn)業(yè)鏈布局。