[導(dǎo)讀]國際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(SEMI)最新統(tǒng)計,今年全球晶圓廠設(shè)備支出將達(dá)325億美元(約新臺幣9,720億元),較去年成長2%,而明年預(yù)估將有23%至27%的兩位數(shù)驚人成長,達(dá)410億美元(約新臺幣1.2兆元),創(chuàng)下歷史高點。
國際半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(SEMI)最新統(tǒng)計,今年全球晶圓廠設(shè)備支出將達(dá)325億美元(約新臺幣9,720億元),較去年成長2%,而明年預(yù)估將有23%至27%的兩位數(shù)驚人成長,達(dá)410億美元(約新臺幣1.2兆元),創(chuàng)下歷史高點。
其中,2013年最大的晶圓廠設(shè)備支出來自于晶圓代工產(chǎn)業(yè),該產(chǎn)業(yè)今年晶圓設(shè)備支出年增率高達(dá)21%,主要來自臺積電(2330)資本支出增加的貢獻(xiàn)。
SEMI更表示,今年下半年的晶圓廠設(shè)備支出,預(yù)計將較上半年成長32%,達(dá)185億美元,原因是下半年半導(dǎo)體需求成長以及芯片平均售價(ASP)提升。
臺積電今年調(diào)高資本支出至100億美元,是貢獻(xiàn)這一波半導(dǎo)體設(shè)備支出的最大功臣,SEMI表示,建設(shè)支出對是否會有更多設(shè)備支出的預(yù)測來說是一項很好的指標(biāo)。
今年晶圓廠蓋廠支出最多的廠商除了臺積電,還有三星電子,各自約計劃花費15至20億美元在興建廠房,而英特爾、格羅方德與聯(lián)電子則緊跟在后,也是2014年全球晶圓設(shè)備支出創(chuàng)歷史新高的原因。
除了晶圓代工產(chǎn)業(yè)外,SEMI預(yù)估存儲器產(chǎn)業(yè)對晶圓廠設(shè)備資本的支出,在去年下降35%后,今年預(yù)計只有1%的成長。
其中,2013年最大的晶圓廠設(shè)備支出來自于晶圓代工產(chǎn)業(yè),該產(chǎn)業(yè)今年晶圓設(shè)備支出年增率高達(dá)21%,主要來自臺積電(2330)資本支出增加的貢獻(xiàn)。
SEMI更表示,今年下半年的晶圓廠設(shè)備支出,預(yù)計將較上半年成長32%,達(dá)185億美元,原因是下半年半導(dǎo)體需求成長以及芯片平均售價(ASP)提升。
臺積電今年調(diào)高資本支出至100億美元,是貢獻(xiàn)這一波半導(dǎo)體設(shè)備支出的最大功臣,SEMI表示,建設(shè)支出對是否會有更多設(shè)備支出的預(yù)測來說是一項很好的指標(biāo)。
今年晶圓廠蓋廠支出最多的廠商除了臺積電,還有三星電子,各自約計劃花費15至20億美元在興建廠房,而英特爾、格羅方德與聯(lián)電子則緊跟在后,也是2014年全球晶圓設(shè)備支出創(chuàng)歷史新高的原因。
除了晶圓代工產(chǎn)業(yè)外,SEMI預(yù)估存儲器產(chǎn)業(yè)對晶圓廠設(shè)備資本的支出,在去年下降35%后,今年預(yù)計只有1%的成長。





