先進制程晶圓代工市場戰(zhàn)火愈演愈烈。繼臺積電宣布將分別于2015、2017年推出16和10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程后，格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)日前也喊出將超前臺積電1年，于2014年導入14奈米量產(chǎn)，并將發(fā)揮FinFET專利數(shù)量優(yōu)勢，于2015年搶先進入10奈米世代，讓雙方競爭更趨白熱化。
格羅方德先進技術架構副總裁Subramani Kengeri表示，格羅方德自尚未從超微(AMD)分割出來前，就已與IBM緊密合作開發(fā)FinFET制程、材料與設備技術，至今已累積超過10年豐富經(jīng)驗，同時也掌握全球現(xiàn)有70%專利，因此可望領先群倫在2014年推出14奈米FinFET晶圓前段閘極制程加20奈米后段金屬拉線制程的混搭方案。

因應上述混搭方案發(fā)展，該公司亦將在今年下半年推出20奈米高介電系數(shù)金屬閘極(HKMG)制程，一方面增強與臺積電在市場上競爭的實力，另一方面也能藉優(yōu)化20奈米產(chǎn)線的經(jīng)驗，加速提升14/20奈米混搭制程良率。Kengeri指出，格羅方德幾乎與英特爾(Intel)在同一時間投入發(fā)展FinFET，加上后續(xù)又與IBM、三星(Samsung)組成策略聯(lián)盟并產(chǎn)出大量專利，所以能緊追英特爾之后，成為第一個克服FinFET商用量產(chǎn)桎梏的晶圓代工業(yè)者。

不僅如此，格羅方德亦正緊鑼密鼓研擬第二代FinFET電晶體架構，以及10奈米制程所需的三重曝光(Triple-patterning)技術，從而在晶圓前后段制程均實現(xiàn)FinFET架構，更進一步增強產(chǎn)品效能并縮減尺寸及功耗，預計2015年即可進入量產(chǎn)。

據(jù)悉，晶圓代工廠從傳統(tǒng)SiON/Poly，或目前28/20奈米主流HKMG制程轉(zhuǎn)換至FinFET，將面臨電晶體架構驗證、矽智財(IP)設計，以及蝕刻、曝光等設備開發(fā)問題，必須仰賴長久的研發(fā)投資與技術優(yōu)化，才能取得關鍵制程參數(shù)，并順利導入商用。

Kengeri強調(diào)，格羅方德目前已擁有不少28奈米投片案，在晶圓代工市場上坐二望一；同時因最早投入FinFET開發(fā)，經(jīng)年積累下來的Know-how，不是其他業(yè)者短期內(nèi)擴增研發(fā)預算或設備投資就能迎頭趕上；因此，未來將可在市場上擴大競爭優(yōu)勢。