臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨（18）日宣布，今年資本支出從90億美元（約新臺(tái)幣2,700億元）調(diào)高到95億至100億美元（約新臺(tái)幣2,850億元至3,000億元），調(diào)高幅度約5.5%至11%，再寫(xiě)新高。
張忠謀表示，臺(tái)積電2009年開(kāi)始啟動(dòng)高資本支出、高研發(fā)政策，過(guò)去四年來(lái)，臺(tái)積電每年?duì)I收締造新猷，四年來(lái)的年獲利也有三次創(chuàng)新高。這次調(diào)高資本支出，意味著臺(tái)積電將啟動(dòng)另一波高成長(zhǎng)，未來(lái)三至五年的獲利年復(fù)合成長(zhǎng)率將超過(guò)一成。

臺(tái)積電也調(diào)高今年產(chǎn)能的年增目標(biāo)，總產(chǎn)能從原先預(yù)估年增10%上升至11%，12寸總產(chǎn)能年增目標(biāo)從15%提高到17%。

上修后的資本支出，有90%將用于28、20、16納米以下的產(chǎn)能擴(kuò)建，5%用于研發(fā)支出，包含10納米與7納米以下設(shè)計(jì)，2%用于特殊制程需求。



臺(tái)積電今年的主要成長(zhǎng)動(dòng)能為28納米，張忠謀說(shuō)，28納米市占居高不下，主要是因?yàn)榕_(tái)積電低耗能制程（LP）良率優(yōu)于同業(yè)，加上Gate-Last為主的金屬閘極（HKMG）制程，有別于同業(yè)的Gate-First制程，大幅幫助客戶產(chǎn)品提升效能，客戶反應(yīng)相當(dāng)好。
臺(tái)積電28納米占第1季營(yíng)收24%，已是營(yíng)收最高制程來(lái)源，今年不只28納米總產(chǎn)能要比去年大增三倍，營(yíng)收也會(huì)比去年成長(zhǎng)三倍，等于從去年615億元大增到1,845億元，占全年?duì)I收將超越三成。

臺(tái)積電調(diào)高資本支出，主要投入20納米與16納米鰭式晶體管（Finfet）的前期投資，20納米已有20個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案（Tape out）。張忠謀說(shuō)，20納米從2014年開(kāi)始量產(chǎn)，預(yù)期20納米第一年與第二年的產(chǎn)出，會(huì)比28納米的前兩年產(chǎn)出來(lái)得大。



圖／經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)提供
新聞辭典》20納米、3D Finfet

隨著摩爾定律的演進(jìn)，以前IC是「微電子」技術(shù)，因?yàn)榫w管的大小是在微米（百萬(wàn)分之1米，也就是1／1,000,000）等級(jí)；2001年起，摩爾定律進(jìn)到IC小于0.1微米，也就是小于100納米，宣告步入納米時(shí)代。

在半導(dǎo)體中，20納米指的是「線寬」的粗細(xì)，20納米是28納米的下一世代技術(shù)，16奈半或14納米則是20納米的下一世代技術(shù)。

越小的線寬，代表晶體管的尺寸越小；線寬越細(xì)，元件就越小，每個(gè)芯片上所能儲(chǔ)存的資料量就越大，速度也越快。越小的芯片，越適合行動(dòng)運(yùn)算等各種裝置，符合輕薄短小、省電、高效能需求。

此外，進(jìn)入16納米以下的先進(jìn)制程后，半導(dǎo)體將全面進(jìn)入3D鰭式晶體管（Finfet）技術(shù)，這是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。

相較于傳統(tǒng)晶體管若要控制電流通過(guò)閘門(mén)，只能選擇在閘門(mén)的一側(cè)來(lái)控制，屬于平面式的結(jié)構(gòu)；3D Finfet的閘門(mén)，是類似魚(yú)鰭般的三面立體式設(shè)計(jì)，能大幅改善電路控制，減少因通道貫穿所產(chǎn)生的漏電問(wèn)題。

利用3D Finfet，將能順利讓芯片發(fā)展到10納米以下。這項(xiàng)技術(shù)上的突破，未來(lái)可讓超級(jí)計(jì)算機(jī)設(shè)計(jì)成只有指甲般大小。