顧能研究副總裁王端昨天指出，晶圓代工龍頭臺積電面臨三星和格羅方德直接跨入14納米FinFET（鰭式場效晶體管）制程，可能上修資本支出，加速16納米FinFET制程量產(chǎn)腳步，推估今年資本支出恐逾百億美元。
王端推測，臺積電董事長張忠謀最快會在美國時(shí)間9日舉行的臺積電年度技術(shù)論壇揭露這項(xiàng)重大布局。臺積電法人關(guān)系處兼發(fā)言人孫又文表示，資本支出是董事會重大決策，一切以董事長正式對外公布的數(shù)字為準(zhǔn)，不對預(yù)測做回應(yīng)。

王端強(qiáng)調(diào)，臺積電在28納米制程領(lǐng)先三星和格羅方德長達(dá)一年半時(shí)間，20納米制程也將比原訂時(shí)程提前在明年量產(chǎn)，但三星和格羅方德緊追在后，雙方都宣稱將直接跳過20納米制程，切入14納米FinFET制程。三星和格羅方德采用的14納米制FinFET技術(shù)是采取前段14納米、后段20納米的混合版，與臺積電前后段都采16納米不同，但其實(shí)二者差異不大。


圖／經(jīng)濟(jì)日報(bào)提供
王端強(qiáng)調(diào)，英特爾日前宣布同意采用14納米FinFET制程，為臺積電大客戶阿爾特拉（Altera）代工生產(chǎn)可編程邏輯閘陣列（FPGA）芯片，加上三星和格羅方德決定跳過20納米直接跨入，預(yù)料不出二年，F(xiàn)inFET將成為晶圓代工主流制程。

王端分析，臺積電原本宣稱16納米FinFET可在2015年量產(chǎn)，但從近期臺積電多次釋放包括與安謀合作等，透露臺積電將提前這項(xiàng)先進(jìn)制程技術(shù)量產(chǎn)腳步，甚至可能在臺積電技術(shù)論壇就對外宣布。