三菱電機于2013年2月6日宣布，開發(fā)出了能夠一次將一塊多晶碳化硅（SiC）錠切割成40片SiC晶片的“多點放電線切割技術(shù)”。該技術(shù)有望提高SiC晶片加工的生產(chǎn)效率，降低加工成本。

多點放電線切割技術(shù)是將直徑為0.1mm的鐵類材料制成的金屬線以0.6mm的間隔纏繞在導輪上，同時在40處實施放電加工，一次就將SiC錠切割成40片SiC晶片。通過獨立控制對每個切割部位的供電，使各切割部位的加工速度實現(xiàn)均一化，從而一次可切割出多片晶片。三菱電機驅(qū)動控制系統(tǒng)技術(shù)部長真柄卓司介紹說，“通過獨立控制使各個供電部分的放電量實現(xiàn)均一化是很難辦到的。其他公司無法簡單模仿”。該技術(shù)的加工速度為0.08mm/min，能夠在20多個小時內(nèi)切割完一塊截面為4英寸見方的SiC錠。


加工部的比較（點擊放大）

加工完成的工件（點擊放大）

SiC作為功率半導體用材料，近年來需求不斷擴大。SiC晶片加工方面，目前最常見的是使用磨粒線鋸進行多線切割的接觸式機械加工，磨粒線鋸砥粒式線鋸的直徑較大，為0.2mm左右，切割面的表面粗糙度也比放電線切割加工粗。此外，SiC硬度較高，因此需要使用昂貴的金剛石作為磨粒。而此次開發(fā)的放電線切割加工技術(shù)的線間距僅為0.6mm左右，比磨粒線鋸的一般間距（約0.8mm）窄，而且切割下料的寬度也很窄，因此切割同樣大小的晶錠可得到的晶片數(shù)量（收獲量）也要多出約3成。另外，放電線切割加工使用的金屬線也無需使用特殊材料。三菱電機今后將對該技術(shù)進行定量性成本評估，估計該技術(shù)能夠憑借收獲量的增加以及金屬線的低成本化削減加工成本。今后該公司將提高該技術(shù)的加工可靠性和穩(wěn)定性，并通過自動化來提高易用性，力爭2015年度推出產(chǎn)品。（記者：吉田勝，《日經(jīng)制造》