臺(tái)積電今年將大幅擴(kuò)產(chǎn)28奈米(nm)制程產(chǎn)能。2012年臺(tái)積電靠著領(lǐng)先的28奈米技術(shù)，在晶圓代工市場(chǎng)打下漂亮一仗，營(yíng)收及獲利皆屢創(chuàng)新高。邁入2013年，臺(tái)積電確信28奈米制程需求依然強(qiáng)勁，故預(yù)計(jì)將產(chǎn)能提高三倍，不予競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手可趁之機(jī)，同時(shí)也協(xié)助更多新客戶順利將晶片從40奈米轉(zhuǎn)進(jìn)28奈米世代。
臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀表示，拜行動(dòng)通訊、電腦運(yùn)算晶片加速制程微縮之賜，預(yù)期臺(tái)積電在2013年28奈米產(chǎn)能利用率仍將滿載，營(yíng)收貢獻(xiàn)比重則可望突破30%，一舉超越40奈米的占比。因此，該公司今年規(guī)畫增加約10%資本設(shè)備支出(CAPEX)，全力沖刺28奈米產(chǎn)能。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀表示，臺(tái)積電今年將有32%營(yíng)收來自智慧型手機(jī)相關(guān)晶片生產(chǎn)業(yè)務(wù)。
事實(shí)上，2012年第一波28奈米制程商機(jī)幾乎由臺(tái)積電獨(dú)攬，因此，其整體毛利率及營(yíng)業(yè)利益率均較2011年提高2.7%，銷售凈額也大幅成長(zhǎng)18.5%，而其他營(yíng)運(yùn)目標(biāo)也紛紛達(dá)陣甚至超前。2013年臺(tái)積電擴(kuò)充三倍28奈米產(chǎn)能后，業(yè)界也認(rèn)為將有效防堵格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、三星(Samsung)及聯(lián)電發(fā)動(dòng)搶單攻勢(shì)，更加確立其晶圓代工龍頭寶座。

在此同時(shí)，臺(tái)積電今年也計(jì)劃提高研發(fā)費(fèi)用至總營(yíng)收8%比例，并馬不停蹄投入部署20奈米高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)、16奈米鰭式電晶體(FinFET)、10奈米以下極紫外光微影(EUV)、18寸晶圓及2.5D/三維晶片(3D IC)的CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)制程，以維持技術(shù)領(lǐng)先地位。

張忠謀透露，20奈米研發(fā)速度已超前當(dāng)時(shí)28奈米的時(shí)程，2014年20奈米正式量產(chǎn)后，出貨量占比將優(yōu)于2012年的28奈米制程。另外，CoWoS制程也預(yù)計(jì)在2015?2016年放量，為臺(tái)積電挹注約10億美元的封裝業(yè)務(wù)營(yíng)收貢獻(xiàn)。

至于市場(chǎng)關(guān)注的景氣問題，張忠謀認(rèn)為，2013年半導(dǎo)體市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)力將來自美國(guó)，以及中國(guó)大陸等新興國(guó)家對(duì)行動(dòng)通訊和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的需求，總體產(chǎn)值可望比去年提升3%；其中，IC設(shè)計(jì)業(yè)成長(zhǎng)率上看9%，而晶圓代工產(chǎn)業(yè)則有7%左右的增長(zhǎng)空間，將成半導(dǎo)體產(chǎn)值成長(zhǎng)兩大指標(biāo)。