韓國聯(lián)合通訊社(Yonhap)、EETimes報(bào)導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics Co.)21日宣布，該公司已成功試產(chǎn)出旗下第一顆采用鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)技術(shù)的14奈米制程測(cè)試晶片。
三星表示，這款測(cè)試晶片是和安謀(ARM)、Cadence、Mentor Graphics以及Synopsis共同開發(fā)出來的成果。FinFET技術(shù)可讓電源運(yùn)用更有效率。
三星表示，該公司計(jì)劃與上述四家夥伴共同推出采用14奈米FinFET制程技術(shù)的產(chǎn)品。三星系統(tǒng)大規(guī)模集成電路(System Large Scale Integrated Circuit)部門主管Choi Kyu-myung表示，14奈米FinFET制程技術(shù)可提升裝置效能并降低耗電量，進(jìn)一步改善行動(dòng)環(huán)境。

這是過去一個(gè)月以來第二款采用14奈米FinFET制程技術(shù)的測(cè)試晶片獲得發(fā)表。Cadence甫于11月推出一款搭載安謀Cortex-M0處理器架構(gòu)的14奈米測(cè)試晶片，采用的是IBM的FinFET制程技術(shù)。
臺(tái)積電(2330)技術(shù)長(zhǎng)孫元成曾在11月23日指出，該公司的20奈米系統(tǒng)單晶片(SoC)解決方案預(yù)計(jì)今年Q4即可試產(chǎn)(risk production)，而明(2013)年11月則預(yù)計(jì)推出16奈米FinFET制程(技術(shù)水準(zhǔn)相當(dāng)于競(jìng)爭(zhēng)者的14奈米)的試產(chǎn)。至于再下一個(gè)世代的10奈米FinFET制程，臺(tái)積電則預(yù)計(jì)于2015年底推出。
孫元成當(dāng)時(shí)表示，跨入16奈米制程后則是FinFET架構(gòu)的天下，而臺(tái)積電將使用安謀首款64位元處理器v8來測(cè)試16奈米FinFET制程，并可望在明年11月推出首款測(cè)試晶片。