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[導(dǎo)讀]國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)發(fā)布最新預(yù)測(cè),2013年全球晶圓設(shè)備(WFE)支出總計(jì)為270億美元,較2012年減少9.7%。晶圓設(shè)備支出于2012年為299億美元,較2011年的支出規(guī)模衰退17.4%。晶圓設(shè)備市場(chǎng)可望在2014年恢復(fù)成長(zhǎng)。 Gart

國(guó)際研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)發(fā)布最新預(yù)測(cè),2013年全球晶圓設(shè)備(WFE)支出總計(jì)為270億美元,較2012年減少9.7%。晶圓設(shè)備支出于2012年為299億美元,較2011年的支出規(guī)模衰退17.4%。晶圓設(shè)備市場(chǎng)可望在2014年恢復(fù)成長(zhǎng)。

Gartner表示,半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)景氣疲軟除了總體經(jīng)濟(jì)不景氣的因素之外,記憶體和邏輯晶片部門(mén)對(duì)彼此的投資呈反景氣循環(huán)(countercyclically)的現(xiàn)象,資本投資在預(yù)測(cè)期間皆將持平。

Gartner研究副總裁Bob Johnson表示,晶圓設(shè)備市場(chǎng)在2012年年初表現(xiàn)強(qiáng)勁,系因晶圓和其他邏輯晶片制造廠增加30奈米以下的生產(chǎn)。新設(shè)備需求較原先預(yù)期高,因?yàn)樵黾酉冗M(jìn)裝置需求必須先提升產(chǎn)能,但良率卻未臻至成熟。然而,邏輯生產(chǎn)的新設(shè)備需求將隨著良率提高而趨緩,導(dǎo)致出貨量隨著邁入2013年而減少。

Gartner預(yù)測(cè),晶圓制造廠產(chǎn)能利用率將于2012年底下探至80%以下,再于2013年底前緩慢回升至約85%。先進(jìn)制程的產(chǎn)能利用率則在2012年下半年下滑至85%左右,到2013年底前可望達(dá)91%至93%的水準(zhǔn),并提供較為正向的資本投資環(huán)境。記憶體于2013年表現(xiàn)仍顯萎靡不振,DRAM產(chǎn)業(yè)僅維持基本設(shè)備管理的投資,NAND的設(shè)備投資在市場(chǎng)達(dá)成供需平衡前亦會(huì)呈些許下降。晶圓設(shè)備市場(chǎng)可望自2014年開(kāi)始展開(kāi)新的成長(zhǎng)周期直至2016年。

Johnson表示,盡管2012年上半年的庫(kù)存修正導(dǎo)致產(chǎn)量降低的情況似已結(jié)束,但是庫(kù)存量仍處于危險(xiǎn)水準(zhǔn)。高庫(kù)存水位,加上整體市場(chǎng)景氣疲弱,2013年上半年的產(chǎn)能利用率仍將持續(xù)受到抑制。

他說(shuō),智慧型手機(jī)和平板雖能刺激邏輯晶片對(duì)先進(jìn)設(shè)備的需求,但仍不足將整體產(chǎn)能利用水準(zhǔn)拉抬至期望的水平。產(chǎn)能利用率將在2013年第2季回升,因?yàn)榫a(chǎn)的需求恢復(fù),以及2012年下半年與2013年上半年所采取的資本支出抑制策略使得新增產(chǎn)能趨緩。整體產(chǎn)能利用率可望于2013年底前恢復(fù)到正常水準(zhǔn),并為資本投資提供持續(xù)的動(dòng)能。

Gartner之前即已警示資本支出前景已顯著趨緩,因?yàn)榧彼偎ネ说目傮w經(jīng)濟(jì)環(huán)境已影響消費(fèi)者支出意愿,所產(chǎn)生的涓滴效應(yīng)(trickle-down effect)進(jìn)而打擊資本支出。Gartner對(duì)2012年晶圓設(shè)備資本支出的預(yù)測(cè),已從第三季發(fā)布之減少9.3%進(jìn)一步下修至衰退10.7%。同時(shí)預(yù)期,半導(dǎo)體制造商仍將苦于因應(yīng)產(chǎn)能過(guò)剩及疲弱的經(jīng)濟(jì)景氣,2013年的資本支出將持續(xù)下滑,衰退幅度達(dá)14.7%。

2013年晶圓代工產(chǎn)業(yè)的支出將成長(zhǎng)7.4%,系因整合元件制造商(IDM)與半導(dǎo)體封測(cè)業(yè)者(SATS)支出預(yù)期將大幅縮減。2013年之后,記憶體與邏輯晶片的支出將趨于一致,201年可望有顯著成長(zhǎng),2015年亦將有持平或微幅成長(zhǎng)的表現(xiàn)。

受惠于行動(dòng)裝置市場(chǎng)的蓬勃,2012年邏輯晶片的支出系資本投資唯一呈正成長(zhǎng)部門(mén),支出較2011年增加3%,主要系因幾家領(lǐng)先的大廠積極投入30奈米以下節(jié)點(diǎn)的投資。





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