晶圓代工廠格羅方德（GlobalFoundries）來臺嗆聲，全球營銷暨業(yè)務執(zhí)行副總裁Michael Noonen表示，已正式推出結合14納米鰭式場效晶體管（FinFET）制程的14nm-XM技術，協(xié)助客戶加快行動裝置芯片上市時間。格羅方德指出，14nm-XM將于2013年提供客戶投片，2014年可量產投片，要與臺積電的16納米FinFET制程一較高下。

臺積電日前變動了技術藍圖，28納米之后的20納米研發(fā)已經接近尾聲，2013年就可進入量產，2014年將進行大規(guī)模擴產，而原本20納米之后的14納米已經取消，改成較符合客戶需求的16納米制程。臺積電在16納米只提供一種通用型制程，并首度導入3D架構的FinFET晶體管制程，投產時間預計在2015年。

為了與臺積電相抗衡，格羅方德全球營銷暨業(yè)務執(zhí)行副總裁Michael Noonen來臺宣布，針對新一代行動裝置芯片開發(fā)的14nm-XM技術已完成開發(fā)，采用3D架構的FinFET晶體管制程，并將領先同業(yè)在2014年就投入量產，與臺積電較勁意味濃厚。

格羅方德表示，14nm-XM采用模塊化的技術架構，結合了14納米FinFET元件與即將量產的20納米20nm-LPM制程技術，客戶能夠以最快速度，運用20nm-LPM技術轉移使用14nm-XM技術，相關的芯片試產已經開始在格羅方德位于紐約薩拉托加郡的晶圓8廠測試，初期制程設計套件現(xiàn)已開始提供，并預計將于2013年提供客戶產品投片，2014年可望導入量產。

Michael Noonen表示，格羅方德的前身是超微的晶圓制造事業(yè)，投入FinFET研發(fā)已超過10年時間，以此為基礎可加快FinFET制程的量產。格羅方德制定了一套新的技術定義方法，并以此開發(fā)出具成本效益且低功耗的14nm-XM技術，除了制造便利性及設計方便性，亦可讓設計者重復使用前一代產品中部分的矽智財。

格羅方德近期也積極爭搶訂單，除了已拿下高通28納米手機芯片訂單，據傳也成功向聯(lián)發(fā)科招手，并計劃由聯(lián)電手中搶得更多德儀OMAP處理器代工訂單。另外，格羅方德對繪圖芯片代工訂單也興趣濃厚，希望能在明年成為輝達（NVIDIA）的主要代工廠之一。