美國晶圓代工巨頭GLOBALFOUNDRIES于2012年9月20日發(fā)布了用于移動終端等配備的14nm級SoC（System on a Chip）的工藝“14XM（eXtreme Mobility）”（英文發(fā)布資料）。將采用三維構(gòu)造的Fin FET取代20nm級之前的平面構(gòu)造MOS晶體管。采用14nm工藝的客戶產(chǎn)品預(yù)定在2013年送廠生產(chǎn)（tape-out），2014年開始量產(chǎn)。


預(yù)定加快微細(xì)化速度，2014年開始量產(chǎn)
14nm工藝以20nm低功耗工藝（20LPM）為基礎(chǔ)進(jìn)行開發(fā)。在沿用高介電常數(shù)（high-k）柵極絕緣膜和金屬柵極技術(shù)以及布線技術(shù)的同時(shí)，引進(jìn)了可實(shí)現(xiàn)高速節(jié)能的Fin FET。據(jù)介紹，與20nm低功耗工藝相比，在電源電壓相同的條件下，14nm工藝可將晶體管的工作速度提高20～55％，在工作速度相同的條件下，可將配備14nm SoC的終端電池壽命延長40～60％。

目前，GLOBALFOUNDRIES正在美國紐約州的新工廠“Fab8”試制采用14nm工藝的芯片。據(jù)悉，可供應(yīng)初期的工藝設(shè)計(jì)套件（PDKs，Process Design Kits）。另外，預(yù)定2012年下半年開始提供20nm工藝。（記者：大下 淳一，《日經(jīng)電子》）


以20nm低功耗工藝為基礎(chǔ)進(jìn)行開發(fā)（點(diǎn)擊放大）

有利于實(shí)現(xiàn)高速節(jié)能（點(diǎn)擊放大）