半導(dǎo)體晶圓代工大廠格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)推出14nm-XM技術(shù)，可提供 3D「鰭式場效記憶體」(FinFET)電晶體的效能及能源優(yōu)勢，是專為成長快速的行動(dòng)市場所設(shè)計(jì)。

格羅方德透過資料發(fā)布表市，新的14nm-XM技術(shù)不僅可降低風(fēng)險(xiǎn)，更能加快上市時(shí)間，幫助無晶圓廠生態(tài)體系維持行動(dòng)市場的領(lǐng)導(dǎo)地位，也有助開發(fā)出新一代的智慧行動(dòng)裝置。

格羅方德解釋，XM 是「eXtreme Mobility」的縮寫，是業(yè)界最頂尖的非平面式架構(gòu)，可真正為行動(dòng)系統(tǒng)單晶片 (SoC) 設(shè)計(jì)做優(yōu)化，提供從電晶體到系統(tǒng)層級(jí)的完整產(chǎn)品解決方案。

格羅方德說，在當(dāng)前 20nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)，相較于目前的 2D 平面式電晶體，14nm-XM技術(shù)預(yù)計(jì)可望提升40%到60%的電池使用壽命。

格羅方德表示，14nm-XM采用模組化的技術(shù)架構(gòu)，完美結(jié)合了14nm的FinFET 元件與 GLOBALFOUNDRIES 公司即將量產(chǎn)的20nm-LPM 制程技術(shù)。運(yùn)用成熟的 20nm-LPM 技術(shù)，讓想利用 FinFET 系統(tǒng)單晶片優(yōu)勢的客戶，能以最快的速度順利轉(zhuǎn)移。技術(shù)研發(fā)工作已展開，矽晶片也已透過 GLOBALFOUNDRIES 位于紐約薩拉托加郡的晶圓 8 廠進(jìn)行測試。初期制程設(shè)計(jì)套件 (PDKs)現(xiàn)已開始提供，并預(yù)計(jì)將于 2013 年可提供客戶產(chǎn)品投片。