“High-k/金屬閘極已經(jīng)很復(fù)雜了，但FinFET更加復(fù)雜，”Kengeri說。以一顆20奈米晶片為例，F(xiàn)inFET在超低壓時(shí)表現(xiàn)仍然很好，但在平面制程，功耗表現(xiàn)非常差。所以，“若稍微提升電壓，效能會(huì)更好，但這在平面制程上是做不到的?！?/font>

至今，我們?nèi)月牭?8nm有許多問題無法解決，Kengeri說。

Kengeri指出，未來在晶圓代工領(lǐng)域，推動(dòng)成長(zhǎng)的關(guān)鍵在于行動(dòng)裝置所需要的技術(shù)，包括長(zhǎng)電池壽命，多功能整合，以及低成本。“當(dāng)結(jié)合這些優(yōu)勢(shì)，我們就能繼續(xù)專注在行動(dòng)市場(chǎng)。我們已經(jīng)為行動(dòng)產(chǎn)業(yè)中最重要的處理器和繪圖單元定義了最佳化技術(shù)，這就是我們?yōu)榭蛻糇龅?，我們通常與客戶花費(fèi)一年半到兩年的時(shí)間來合作開發(fā)，并確保能長(zhǎng)期穩(wěn)定供貨?！?/font>

他接著指出，High-k/金屬閘極是非常挑戰(zhàn)性的技術(shù)，很不容易用在制程上，但Globalfoundries已經(jīng)克服了很多晶圓廠正在面臨的問題。如稍早前AMD發(fā)表的新系列APU，就是使用該公司的high-K/金屬閘極技術(shù)。

Globalfoundries從32奈米開始使用high-k/金屬閘極技術(shù)，據(jù)Kengeri表示，到28奈米時(shí)，已經(jīng)有90幾款設(shè)計(jì)開始出貨了。

而在28nm以后，Kengeri表示，Globalfoundries的20nm策略仍舊是針對(duì)行動(dòng)應(yīng)用最佳化，而且會(huì)開始使用第三代HIGH-K金屬閘極技術(shù)。

Globalfoundries在20nm以下節(jié)點(diǎn)的技術(shù)策略。

[!--empirenews.page--]

而在14nm及以下制程，Kengeri提出了四個(gè)關(guān)鍵技術(shù)：FinFET、超紫外光(EUV)微影技術(shù)、450mm晶圓，以及矽穿孔(TSV)技術(shù)。

FinFET是達(dá)到省電，節(jié)能和低電壓的關(guān)鍵；而EUV則是實(shí)現(xiàn)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)的問鍵。但Kengeri強(qiáng)調(diào)，今天的EUV離量產(chǎn)規(guī)模還很遠(yuǎn)。“至少EUV要達(dá)到每小時(shí)100片晶圓的吞吐量才行。目前仍不得而知會(huì)在14或10奈米開始使用，因?yàn)槟壳笆褂肊UV的成本非常高昂，而且吞吐量大約只在每小時(shí)5片左右?！?/font>

Kengeri特別強(qiáng)調(diào)了該公司未來在FinFET方面的優(yōu)勢(shì)。“如果你去檢視FinFET的業(yè)界專利，你會(huì)發(fā)現(xiàn)，有76%的專利，是掌握在GF，IBM和三星的聯(lián)盟平臺(tái)手中，其他對(duì)手僅占24%。”

而當(dāng)被問及20nm以后制程會(huì)采用gate-first或是gate-last時(shí)，他僅透露：“14nm我們已經(jīng)知道要用gate-first或是last了，只是現(xiàn)在還沒公布。我們的客戶并不在乎用的是哪一種技術(shù)，重點(diǎn)只在能不能量產(chǎn)而已?！?/font>

Kengeri承認(rèn)EUV的一再延宕確實(shí)為晶片產(chǎn)業(yè)的進(jìn)展帶來影響。他表示，該公司也同時(shí)關(guān)注光學(xué)193nm以及定向自組裝(DSA)等技術(shù)，而且也將為目前使用光學(xué)技術(shù)的客戶們提供未來順利過渡到EUV的升級(jí)途徑，以進(jìn)一步協(xié)助客戶降低成本。

2012第一季，Globalfoundries有83%的營(yíng)收來自美國(guó)。這是該公司目前仍將生產(chǎn)重心放在北美的主因。預(yù)估到2013年，該公司全球總產(chǎn)能可達(dá)每月二十萬片規(guī)模。

Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)辦公室先進(jìn)技術(shù)架構(gòu)主管Subramani Kengeri