GLOBALFOUNDRIES在美國紐約的“Fab 8”采用支持20nm工藝的TSV技術(shù)

時(shí)間：2012-05-07 07:22:00

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[導(dǎo)讀]【日經(jīng)BP社報(bào)道】美國GLOBALFOUNDRIES公司于2012年4月26日（美國時(shí)間）宣布，可在20nm工藝半導(dǎo)體晶圓上形成TSV（through-silicon via，硅通孔）的生產(chǎn)設(shè)備，已開始在該公司位于美國紐約州薩拉托加郡（Saratoga）的生

【日經(jīng)BP社報(bào)道】美國GLOBALFOUNDRIES公司于2012年4月26日（美國時(shí)間）宣布，可在20nm工藝半導(dǎo)體晶圓上形成TSV（through-silicon via，硅通孔）的生產(chǎn)設(shè)備，已開始在該公司位于美國紐約州薩拉托加郡（Saratoga）的生產(chǎn)線“Fab 8”上采用（英文發(fā)布資料）。據(jù)稱，利用TSV技術(shù)可對(duì)新一代移動(dòng)產(chǎn)品及消費(fèi)類產(chǎn)品用的三維芯片實(shí)現(xiàn)積層。

TSV是將硅晶圓在垂直方向蝕刻，并埋入銅的技術(shù)。利用TSV技術(shù)可在積層的芯片間實(shí)現(xiàn)三維方向的信號(hào)傳遞。例如，可通過采用該技術(shù)在應(yīng)用處理器上積層存儲(chǔ)器芯片，可在使存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸速度飛躍提高的同時(shí)大幅降低耗電量，滿足智能手機(jī)和平板終端所要求的條件。

GLOBALFOUNDRIES公司首席技術(shù)官（CTO）Gregg Bartlett表示，“為了應(yīng)對(duì)新的硅技術(shù)節(jié)點(diǎn)，我們很早就已開始與合作伙伴共同開發(fā)有望在業(yè)界催生下一波技術(shù)革新的全新封裝解決方案。我們的方案范圍廣且具有共同性，在可向用戶提供最大限度的選擇權(quán)和靈活性的同時(shí)，還能降低成本、縮短產(chǎn)品的市場(chǎng)投放時(shí)間、減小伴隨新技術(shù)開發(fā)的技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)。通過在Fab 8采用20nm工藝TSV技術(shù)，我們將與涵蓋從設(shè)計(jì)到組裝以至測(cè)試整個(gè)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中的眾多公司，建立共同開發(fā)及制造合作關(guān)系，由此可具備完全滿足新一代元件高端要求的能力”。

GLOBALFOUNDRIES公司的Fab 8是美國國內(nèi)規(guī)模最大的尖端代工工廠。瞄準(zhǔn)的是32/28nm及以后工藝，目前正在推進(jìn)開發(fā)20nm工藝。計(jì)劃從2012年第三季度開始制造采用TSV技術(shù)的首批硅芯片產(chǎn)品

Fab 8的外觀（2011年夏季的情況，摘自該公司的Web網(wǎng)站）
Fab 8的潔凈室（2011年夏季的情況，摘自該公司的Web網(wǎng)站