維持28奈米競(jìng)爭(zhēng)力聯(lián)電2014年前資本支出恐難降
時(shí)間：2012-04-21 09:41:00
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[導(dǎo)讀]手機(jī)晶片大廠高通 ( Qualcomm )于18日美股盤(pán)后發(fā)布2012會(huì)計(jì)年度第2季(2012年1-3月)財(cái)報(bào)，單季營(yíng)收、本業(yè)每股稀釋盈余分別創(chuàng)下新高，不過(guò)由于28 奈米產(chǎn)能短缺，高通預(yù)估本季營(yíng)收將季減5.9%來(lái)到46.5億美元、本業(yè)每股盈
ce="Verdana" size="2">手機(jī)晶片大廠高通 ( Qualcomm )于18日美股盤(pán)后發(fā)布2012會(huì)計(jì)年度第2季(2012年1-3月)財(cái)報(bào)，單季營(yíng)收、本業(yè)每股稀釋盈余分別創(chuàng)下新高，不過(guò)由于28 奈米產(chǎn)能短缺，高通預(yù)估本季營(yíng)收將季減5.9%來(lái)到46.5億美元、本業(yè)每股盈余則將落在0.83-0.89元區(qū)間，低于分析師原先預(yù)期。在臺(tái)積電 (2330)28 奈米產(chǎn)能已滿(mǎn)、且確定調(diào)高今年資本支出的情況下，同樣拿下高通 28 奈米訂單的聯(lián)電 (2303)，擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作勢(shì)必也不能停。法人估，聯(lián)電若要維持28 奈米競(jìng)爭(zhēng)力，至少到2014年為止，每年都要有20億美元左右的資本支出，唯如此一來(lái)2012-2014年的年復(fù)合折舊成長(zhǎng)率可能會(huì)超過(guò)1成，勢(shì)必對(duì)公司獲利造成沖擊。
法人指出，聯(lián)電的28 奈米 HPL(高效能/低功耗，high-performance- low -power)制程將在今年第三季量產(chǎn)，客戶(hù)包括高通、網(wǎng)通晶片大廠博通( Broadcom )、美滿(mǎn)( Marvell )等，估計(jì)聯(lián)電在先前法說(shuō)會(huì)提出，28 奈米制程今年底之前占營(yíng)收比重5%的目標(biāo)可望達(dá)陣。而在28 奈米 HPM制程（行動(dòng)高效能，high-performancefor mobile）部分，則有機(jī)會(huì)于2013年中量產(chǎn)。
不過(guò)，外資巴黎證券，則指出聯(lián)電在多晶矽氮氧化矽(PolySiON)28 奈米技術(shù)的幾個(gè)隱憂(yōu)，包括：第一，產(chǎn)業(yè)已漸走向高介電常數(shù)/金屬閘極(high-k metal gate/ HKMG)技術(shù)，相對(duì)而言多晶矽氮氧化矽屬「利基」( niche )型市場(chǎng)，規(guī)模較??；第二，聯(lián)電在產(chǎn)能布建上的態(tài)度顯得保守，通常都是在客戶(hù)承諾確定訂單后才決定擴(kuò)產(chǎn)，對(duì)某些注重產(chǎn)能調(diào)度彈性的客戶(hù)可能較缺乏吸引力。而聯(lián)電若要加緊朝高介電常數(shù)/金屬閘極技術(shù)轉(zhuǎn)換，勢(shì)必需要更高的資本支出，也讓其在短期內(nèi)，難以在先進(jìn)制程布局追上臺(tái)積電。
ce="Verdana" size="2">而聯(lián)電也將于4月25日舉辦法人說(shuō)明會(huì)，屆時(shí)將對(duì)第二季展望、今年資本支出是否調(diào)整，以及28 奈米制程進(jìn)度有更進(jìn)一步的說(shuō)明。
法人指出，聯(lián)電的28 奈米 HPL(高效能/低功耗，high-performance- low -power)制程將在今年第三季量產(chǎn)，客戶(hù)包括高通、網(wǎng)通晶片大廠博通( Broadcom )、美滿(mǎn)( Marvell )等，估計(jì)聯(lián)電在先前法說(shuō)會(huì)提出，28 奈米制程今年底之前占營(yíng)收比重5%的目標(biāo)可望達(dá)陣。而在28 奈米 HPM制程（行動(dòng)高效能，high-performancefor mobile）部分，則有機(jī)會(huì)于2013年中量產(chǎn)。
不過(guò)，外資巴黎證券，則指出聯(lián)電在多晶矽氮氧化矽(PolySiON)28 奈米技術(shù)的幾個(gè)隱憂(yōu)，包括：第一，產(chǎn)業(yè)已漸走向高介電常數(shù)/金屬閘極(high-k metal gate/ HKMG)技術(shù)，相對(duì)而言多晶矽氮氧化矽屬「利基」( niche )型市場(chǎng)，規(guī)模較??；第二，聯(lián)電在產(chǎn)能布建上的態(tài)度顯得保守，通常都是在客戶(hù)承諾確定訂單后才決定擴(kuò)產(chǎn)，對(duì)某些注重產(chǎn)能調(diào)度彈性的客戶(hù)可能較缺乏吸引力。而聯(lián)電若要加緊朝高介電常數(shù)/金屬閘極技術(shù)轉(zhuǎn)換，勢(shì)必需要更高的資本支出，也讓其在短期內(nèi)，難以在先進(jìn)制程布局追上臺(tái)積電。
ce="Verdana" size="2">而聯(lián)電也將于4月25日舉辦法人說(shuō)明會(huì)，屆時(shí)將對(duì)第二季展望、今年資本支出是否調(diào)整，以及28 奈米制程進(jìn)度有更進(jìn)一步的說(shuō)明。
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