[導讀]臺積電南科Fab14第五期廠房將于下周一（9日）動土，有望新增5萬片12寸晶圓月產(chǎn)能。臺積電沖刺先進制程、擴大市占率，明年12寸晶圓月產(chǎn)能可望突破40萬片大關，不僅穩(wěn)居全球晶圓代工龍頭，更遠遠甩開三星、格羅方德等同
臺積電南科Fab14第五期廠房將于下周一（9日）動土，有望新增5萬片12寸晶圓月產(chǎn)能。臺積電沖刺先進制程、擴大市占率，明年12寸晶圓月產(chǎn)能可望突破40萬片大關，不僅穩(wěn)居全球晶圓代工龍頭，更遠遠甩開三星、格羅方德等同業(yè)。
臺積電去年總產(chǎn)能約1,322萬片8寸約當晶圓，年增17%，其中12寸產(chǎn)能年成長29%，公司在上季法說會預估，今年整體產(chǎn)能將年增10%，28納米為主要成長來源。
臺積電董事長張忠謀將親自主持南科Fab14第五期動土典禮，屆時可望釋出對第二季半導體景氣看法。
設備商認為，南科Fab14第五期廠房也是臺積電去年底中科Fab15第三期動土后，最新一期廠房興建，若南科Fab14第五期趕在今年底量產(chǎn)，臺積電有機會上調(diào)原本預期產(chǎn)能年增10%的目標。
臺積電中科Fab15第一期本月順利量產(chǎn)，鎖定28納米以下制程。臺積電規(guī)劃，12寸晶圓總月產(chǎn)能本季將首度突破30萬片，來到30.4萬片。業(yè)界認為，以新廠房從外觀興建到內(nèi)部裝機最快約三季的時間推算，南科Fab14第五期動土后，最快今年底或明年初可開始量產(chǎn)。
法人預估，南科Fab14第五期廠房將為臺積電新增5萬片12寸晶圓月產(chǎn)能，臺積電今年底12寸晶圓總月產(chǎn)能可望挑戰(zhàn)35萬片，明年一舉突破40萬片大關，比三星的產(chǎn)能規(guī)模大三至四倍。
市調(diào)機構顧能（Gartner）最新調(diào)查指出，臺積電去年在全球晶圓代工市占率達48.8%，較前年提升1.7個百分點，穩(wěn)居業(yè)界龍頭。隨著行動裝置市場大開帶動28納米芯片需求，臺積電持續(xù)擴產(chǎn)，今、明年市占率能否重回五成以上，市場高度關注。
臺積電去年10月領先同業(yè)推出28納米制程，本季28納米營收比重將從去年第四季的2%提高到5%，年底達10%。
隨著擴產(chǎn)腳步加快，臺積電可能上修今年資本支出，法人估計最快在26日法說會上宣布。外資認為，臺積電今年資本支出有可能從原訂60億美元（約新臺幣1,771.8億元）提升到68億美元（約新臺幣2,008.04億元）。
臺積電昨天收盤價85元，下跌0.1元。
臺積電去年總產(chǎn)能約1,322萬片8寸約當晶圓，年增17%，其中12寸產(chǎn)能年成長29%，公司在上季法說會預估，今年整體產(chǎn)能將年增10%，28納米為主要成長來源。
臺積電董事長張忠謀將親自主持南科Fab14第五期動土典禮，屆時可望釋出對第二季半導體景氣看法。
設備商認為，南科Fab14第五期廠房也是臺積電去年底中科Fab15第三期動土后，最新一期廠房興建，若南科Fab14第五期趕在今年底量產(chǎn)，臺積電有機會上調(diào)原本預期產(chǎn)能年增10%的目標。
臺積電中科Fab15第一期本月順利量產(chǎn)，鎖定28納米以下制程。臺積電規(guī)劃，12寸晶圓總月產(chǎn)能本季將首度突破30萬片，來到30.4萬片。業(yè)界認為，以新廠房從外觀興建到內(nèi)部裝機最快約三季的時間推算，南科Fab14第五期動土后，最快今年底或明年初可開始量產(chǎn)。
法人預估，南科Fab14第五期廠房將為臺積電新增5萬片12寸晶圓月產(chǎn)能，臺積電今年底12寸晶圓總月產(chǎn)能可望挑戰(zhàn)35萬片，明年一舉突破40萬片大關，比三星的產(chǎn)能規(guī)模大三至四倍。
市調(diào)機構顧能（Gartner）最新調(diào)查指出，臺積電去年在全球晶圓代工市占率達48.8%，較前年提升1.7個百分點，穩(wěn)居業(yè)界龍頭。隨著行動裝置市場大開帶動28納米芯片需求，臺積電持續(xù)擴產(chǎn)，今、明年市占率能否重回五成以上，市場高度關注。
臺積電去年10月領先同業(yè)推出28納米制程，本季28納米營收比重將從去年第四季的2%提高到5%，年底達10%。
隨著擴產(chǎn)腳步加快，臺積電可能上修今年資本支出，法人估計最快在26日法說會上宣布。外資認為，臺積電今年資本支出有可能從原訂60億美元（約新臺幣1,771.8億元）提升到68億美元（約新臺幣2,008.04億元）。
臺積電昨天收盤價85元，下跌0.1元。
下載文檔
