上海和英國劍橋2012年2月27日電 /美通社亞洲/ 國際領先的 IC 設計公司及一站式服務供應商 燦芯半導體（上海）有限公司（以下簡稱“燦芯半導體”）與中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約證券交易所：SMI，香港聯(lián)合交易所：0981.HK）及 ARM 今日聯(lián)合宣布，采用中芯國際40納米低漏電工藝的 ARM? Cortex?-A9 MPCore? 雙核測試芯片首次成功流片。

該測試芯片基于 ARM Cortex-A9 雙核處理器設計，采用了中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器使用了一個集 32K I-Cache 和 32K D-Cache，128 TLB entries，NEON? 技術，以及包括調(diào)試和追蹤技術的 CoreSight? 設計套件。除高速標準單元庫，該測試芯片還采用高速定制存儲器和單元庫以提高性能。設計規(guī)則檢測之簽核流程（sign-off）結(jié)果已達到 900MHz（WC），預計2012年第二季度流片結(jié)束后，實測結(jié)果將達到1.0GHz。